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Superconducting Nanowire Single Photon Detector and Method of Fabrication Thereof

机译：超导纳米线单光子探测器及其制造方法

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A superconductor device according to some embodiments comprises a superconductor stack, which includes a superconductor layer and a silicon cap layer over the superconductor layer, the cap layer including amorphous silicon. The superconductor device further comprises a metal contact over a portion of the silicon cap layer and electrically-coupled to the superconductor layer. The metal contact comprises a core including a first metal, and an outer layer around the core that includes a second metal. The portion of the silicon cap layer is converted from silicon to a conductive compound including the second metal to provide low-resistance electrical coupling between the superconductor layer and the metal contact. The superconductor device further comprises a waveguide, and the first portion of the cap layer under the metal contact is at a sufficient lateral distance from the waveguide to prevent optical coupling between the metal contact and the waveguide.
机译：根据一些实施例的超导体装置包括超导体叠层，其包括超导体层和在超导体层上方的硅覆盖层，该覆盖层包括非晶硅。超导体器件还包括在硅覆盖层的一部分上并且电耦合至超导体层的金属触点。金属触点包括：包括第一金属的芯;以及围绕芯的包括第二金属的外层。硅覆盖层的一部分从硅转换成包括第二金属的导电化合物，以在超导体层和金属触点之间提供低电阻电耦合。超导体器件还包括波导，并且金属接触之下的覆盖层的第一部分与波导具有足够的横向距离，以防止金属接触与波导之间的光学耦合。

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