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Novel self-aligned quadruple patterning process for fin pitch below 20nm

机译：鳍间距小于20nm的新型自对准四重图案化工艺

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摘要

A method of manufacturing a FinFET device with a fin pitch of less than 20 nm is presented. According to some embodiments, fins are deposited on the sidewall spacers and the sidewall spacers themselves are deposited on the mandrels. The mandrels can be formed by a lithographic process, while the fins and sidewall spacers can be formed by deposition techniques.

机译：提出了一种制造鳍间距小于20nm的FinFET器件的方法。根据一些实施例，鳍片沉积在侧壁间隔物上，并且侧壁间隔物本身沉积在心轴上。芯轴可以通过光刻工艺形成，而鳍和侧壁间隔物可以通过沉积技术形成。

著录项

公开/公告号JP2019530229A

专利类型
公开/公告日2019-10-17

原文格式PDF
申请/专利权人クアルコム;インコーポレイテッド;
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申请/专利号JP20190514071
发明设计人スタンレー・ソン;ジェフリー・シュ;ダ・ヤン;カーン・リム;チョー・フェイ・イェプ;
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申请日2017-08-08
分类号H01L21/336;H01L29/78;H01L21/8234;H01L27/088;H01L21/8238;H01L27/092;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 12:23:35

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