首页> 外国专利> Nanometer-scale semiconductor devices and method of making

Nanometer-scale semiconductor devices and method of making

机译：纳米级半导体器件及其制造方法

页面导航

摘要
著录项
相似文献

摘要

A semiconductor device comprises: (a) a substrate (120); (b) a base epitaxial semiconducting layer (132) including a dopant of a first polarity disposed over the substrate; (c) a first semiconducting layer including a dopant of a second polarity disposed over the substrate; and (d) a first junction (134) formed between the base layer and first semiconducting layer. The first junction has an area having lateral dimension(s) of 75 nm. An independent claim is also included for a method for forming nanoscale semiconductor junctions comprising: (a) creating an imprint layer on an epitaxial semiconducting layer; (b) urging a nanoimprinter toward the imprint layer; (c) removing selective portions of the epitaxial layer; (d) forming an epitaxial semiconducting structure having an area with lateral dimension(s) of 75 nm; and (e) forming a first semiconducting junction having an area with lateral dimension(s) of 75 nm.

机译：一种半导体器件，包括：（a）衬底（120）;以及（b）基底外延半导体层（132），其包括设置在衬底上方的第一极性的掺杂剂; （c）第一半导体层，其包括设置在衬底上方的第二极性的掺杂剂; （d）在基层和第一半导体层之间形成的第一结（134）。第一结具有横向尺寸为75nm的区域。还包括用于形成纳米级半导体结的方法的独立权利要求，该方法包括：（a）在外延半导体层上形成压印层;以及（b）促使纳米压印机朝向压印层; （c）去除外延层的选择性部分; （d）形成具有横向尺寸为75nm的面积的外延半导体结构; （e）形成第一半导体结，该第一半导体结的横向尺寸为75nm。

著录项

公开/公告号EP1403928B1

专利类型
公开/公告日2018-09-19

原文格式PDF
申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD;
展开▼

申请/专利号EP20030255355
发明设计人 HACKLEMAN DAVID E.;STASIAK JAMES;WU JENNIFER;
展开▼

申请日2003-08-28
分类号H01L29/732;H01L29/861;H01L27/102;H01L27/12;G03F7/00;H01L21/331;H01L21/329;H01L21/8222;H01L21/84;H01L29/06;H01L29/04;H01L27/07;
国家 EP
入库时间 2022-08-21 13:20:26

相似文献

专利
外文文献
中文文献