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NEGATIVE PHOTORESIST FOR SILICON KOH ETCH WITHOUT SILICON NITRIDE

机译:不含氮化硅的KOH蚀刻片的负光致抗蚀剂

摘要

New photoresist are provided for use during the manufacture of semiconductor and MEMS devices. The primer layer comprises a silane which is dissolved or dispersed in the solvent system is preferably used. The photo-resist layer comprises a copolymer prepared from a nitrile, and an epoxy-containing monomer to styrene, acrylic. The photoresist layer contains a photo-acid generating agent, preferably a negative-acting the (negative-acting).
机译:提供了新的光刻胶,以用于半导体和MEMS器件的制造。优选使用包含溶解或分散在溶剂体系中的硅烷的底漆层。光刻胶层包含由腈和含环氧的单体与苯乙烯,丙烯酸形成的共聚物。光致抗蚀剂层包含光致产酸剂,优选为负酸作用(负作用)。

著录项

  • 公开/公告号KR101360503B1

    专利类型

  • 公开/公告日2014-02-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20087007155

  • 申请日2006-09-07

  • 分类号G03F7/004;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 15:41:33

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