机译:产生用于在模制体上引入纳米结构的平面施加材料的步骤包括:在膜上施加具有纳米结构的掩模;在膜中转印掩模的纳米结构图案;以及从膜上去除掩模。
公开/公告号DE102008027040A1
专利类型
公开/公告日2009-12-17
原文格式PDF
申请/专利号DE20081027040
申请日2008-06-06
分类号B82B3/00;B82B1/00;B29C59/00;B63B3/16;B64C1/12;B62D29/00;B01J13/00;
国家 DE
入库时间 2022-08-21 18:28:59