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METHOD FOR OPTIMIZING SOURCE AND MASK TO RAPIDLY CALCULATE MASK PARAMETER

机译：优化源和掩码以快速计算掩码参数的方法

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摘要

PURPOSE: A method for optimizing a source is provided to shorten an interval of time for calculating a mask parameter by limiting the number of optimizing parameters of a considered mask. CONSTITUTION: An illumination source supplies light to a plurality of source points and a predetermined mask pattern. A fragmentation point is selected from an image plane of an image formed by the light supplied to the predetermined mask pattern(S1). Image log slope and intensity of light is determined from each fragmentation point. An optimum illumination source maximizes the image log slope in the selected fragmentation point and is determined to be an illumination source having an intensity in a predetermined range.

机译：目的：提供一种用于优化源的方法，以通过限制所考虑的掩模的优化参数的数量来缩短计算掩模参数的时间间隔。构成：照明源向多个源点和预定的掩模图案提供光。从由提供给预定掩模图案的光形成的图像的图像平面中选择碎裂点（S1）。从每个破碎点确定图像对数斜率和光强度。最佳照明源使所选择的分割点处的图像对数斜率最大化，并且被确定为具有预定范围内的强度的照明源。

著录项

公开/公告号KR20040088378A

专利类型
公开/公告日2004-10-16

原文格式PDF
申请/专利权人 ASML MASKTOOLS B.V.;
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申请/专利号KR20040022288
发明设计人 SOCHA ROBERT JOHN;
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申请日2004-03-31
分类号H01L21/027;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 22:47:51

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