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Method and apparatus for integrating low dielectric constant materials into a multilevel metallization and interconnect structure

机译:将低介电常数材料集成到多层金属化和互连结构中的方法和设备

摘要

A method and apparatus for protecting a metal interconnect from corrosion due to contact with a low k dielectric material in a multilevel metallization and interconnect structure. To facilitate such protection, a barrier material, in the form of a sidewall spacer, is deposited between the dielectric material and the metal line.
机译:一种用于保护金属互连免于由于在多层金属化和互连结构中与低k介电材料接触而腐蚀的方法和设备。为了促进这种保护,以侧壁间隔物的形式的阻挡材料被沉积在介电材料和金属线之间。

著录项

  • 公开/公告号US6054380A

    专利类型

  • 公开/公告日2000-04-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 APPLIED MATERIALS INC.;

    申请/专利号US19970987219

  • 发明设计人 MEHUL NAIK;

    申请日1997-12-09

  • 分类号H01L21/4763;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 01:37:18

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