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/ DIELECTRIC/METAL BARRIER INTEGRATION TO PREVENT COPPER DIFFUSION

机译:/介质/金属屏障整合以防止铜扩散

摘要

An interconnect structure for use in semiconductor devices and a method for manufacturing the same are described. The method includes placing a substrate in a vacuum processing chamber. The substrate has an exposed copper surface and an exposed low-k dielectric surface. A metal layer is formed over the copper surface, but not over the low-k dielectric surface. A metal-based dielectric layer is formed over the metal layer and the low-k dielectric layer.
机译:描述用于半导体器件的互连结构和用于制造该制造方法。 该方法包括将衬底放置在真空处理室中。 基板具有暴露的铜表面和暴露的低k电介质表面。 在铜表面上形成金属层,但不在低k电介质表面上形成。 在金属层和低k介电层上形成基于金属基介电层。

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