图腾柱
图腾柱的相关文献在1984年到2023年内共计300篇,主要集中在中国文学、建筑科学、地理
等领域,其中期刊论文125篇、会议论文2篇、专利文献85009篇;相关期刊107种,包括四川统一战线、中央民族大学学报:哲学社会科学版、民俗研究等;
相关会议2种,包括2009中国珠宝首饰学术交流会、第二届全国信息与电子工程学术交流会暨第十三届四川省电子学会曙光分会学术年会等;图腾柱的相关文献由438位作者贡献,包括曾贤杰、张杰楠、徐锦清等。
图腾柱—发文量
专利文献>
论文:85009篇
占比:99.85%
总计:85136篇
图腾柱
-研究学者
- 曾贤杰
- 张杰楠
- 徐锦清
- 文先仕
- 胡斌
- 钟雄斌
- 马辉
- 徐甜川
- 敬成
- 谢仁践
- 刘昊邦
- 胡祖荣
- 陈建
- 严伟
- 吴双
- 杨喜军
- 高煜寒
- 代红
- 吴琼
- 梅纯
- 沈楚春
- 王帅兵
- 陈忠华
- 何远彬
- 杨志
- 杭丽君
- 江友华
- 焦伟
- 祝中熹
- 肖宏利
- 莫尚林
- 薛晓明
- 陈宁
- 高飞
- P·M·布莱得力
- 但汉兵
- 何维
- 余学芳
- 傅琦
- 冯幸
- 刘小刚
- 刘志敏
- 刘永露
- 刘涛
- 刘源俊
- 刘超
- 刘超英
- 刘进军
- 刘邦银
- 刘鑫
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Yong Ang
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摘要:
电网提供的电能是交流电,但我们使用的大多数设备都需要直流电,这意味着进行这种转换的交流/直流电源是能源网上最常见的负载之一。随着世界关注能效以保护环境并管理运营成本,这些电源的高效运行变得越来越重要。效率作为输入功率与供给负载的功率之间的比率衡量,很容易理解。但是,输入功率因数也有很大的影响。功率因数(PF)描述了任何交流电设备(包括电源)消耗的有用(真实)功率与总(视在)功率(k VA)之间的比值。PF衡量消耗的电能转换为有用功输出的有效性。
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邓孝祥;
苏本勇
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摘要:
图腾柱PFC变换器具有效率高,损耗低等优点,本文介绍了其工作原理及电流校正控制方式,提出了一种基于平均电流的电压前馈控制策略,并进行了主电路的参数计算.利用本文所提出的控制策略,可以使数字控制系统在极短的时间内对外界电压突变做出反映,提高系统响应时间和稳定性.并通过Simulink搭建了系统仿真模型,仿真表明该控制方法可以在进行输入电流校正的同时提高系统响应能力和稳定性.
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罗姆
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摘要:
采用具备驱动器源极引脚的低电感表贴封装有利于实现紧凑的设计,这对于车载充电器等车载应用开发来说非常重要。人们普遍认为,SiC MOSFET可以实现非常快的开关速度,有助于降低电力电子领域功率转换过程中的能量损耗。然而,由于传统功率半导体封装的限制,在实际应用中并不能发挥SiC元器件的全部潜力。在本文中,我们先讨论传统封装的一些局限性,然后介绍采用更好的封装形式所带来的好处。最后,展示对使用了图腾柱(Totem-Pole)拓扑的3.7k W单相PFC进行封装改进后获得的效果。
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侯关银
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摘要:
在西雅图众多的公共艺术中,分布着相当一部分带有明显印第安艺术风格的视觉形象,成为当地重要的文化表征.对于印第安图腾柱的原初功能,人们往往解释为进行精神崇拜的对象.图腾柱在历史更迭中实则经历了反复的语义转换,由起先记事的载体,到社会同化过程中被赋予的改善种族关系的新身份,再至进入当代语境后更加趋向于城市精神的体现.
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黄自翔;
高一博;
肖旭;
罗志斌
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摘要:
图腾柱PFC(Power Factor Corrected)相较于传统的单相PFC具有拓扑简单、导通损耗小、易于实现软开关的优势,大量运用于小型开关电源的前级整流.小功率图腾柱开关频率运行在大约100k左右,但是在较大功率的工况下,开关频率需要降低,随之而来的是谐波加重和控制难度加大的问题.提出一种低频图腾柱的设计方法,通过设计图腾柱的前级LCL滤波和相应的控制策略,实现低频图腾柱的控制,并将iTHD抑制在5%左右,并通过仿真验证了该设计方案的有效性.
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陈晶
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摘要:
根据酋长讲述,6张流传下来的图腾柱地图碎片是解开玛雅宝藏的钥匙。但是,根据队员们的研究,只有一半的图纸才是有效的信息。只有从6张图片中找出包含图腾柱内容的3张来,然后拼接在一起,才不会得到错误的提示。
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尼娜·斯特罗克里克1;
克莱斯特尔·赖特1;
徐婳(翻译)1
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摘要:
一次,富有冒险精神的摄影师克莱斯特尔·赖特在睡梦中冒出一个想法:拍摄攀登图腾年一这是澳大利亚塔斯马尼亚岛上的一根岩柱。几年后,她将登山绳固定在图腾柱旁的岩石上,她吊在登山绳上,用一架无人机从上空打光,倒计时三个月?条未科发现的路线终于拍到了想要的照片。
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张良;
刘承俊
- 《第二届全国信息与电子工程学术交流会暨第十三届四川省电子学会曙光分会学术年会》
| 2006年
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摘要:
采用图腾柱的驱动方式,设计了应用于IXYS公司的功率MOSFET器件DE375-102N12的驱动电路.单个功率MOSFET器件在漏源极电压为788.9V得到了6ns的前沿.通过精心布线,以此驱动电路进行的6个功率MOSFET器件并联的实验,开关导通时间的不一致性小于O.5ns,为采用功率MOSFET器件作为脉冲功率源奠定了基础.