多层布线
多层布线的相关文献在1987年到2022年内共计471篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、自动化技术、计算机技术、电工技术
等领域,其中期刊论文104篇、会议论文18篇、专利文献93086篇;相关期刊46种,包括微电子技术、电子元件与材料、印制电路信息等;
相关会议13种,包括第八届全国摩擦学大会、第十四届全国混合集成电路学术会议、中国仪器仪表学会第四届青年学术会议等;多层布线的相关文献由625位作者贡献,包括前田真之介、平野训、刘玉岭等。
多层布线—发文量
专利文献>
论文:93086篇
占比:99.87%
总计:93208篇
多层布线
-研究学者
- 前田真之介
- 平野训
- 刘玉岭
- 铃木哲夫
- 刘彩凤
- 半户琢也
- 杉本笃彦
- 王丹宁
- 闾邱祁刚
- 大坪喜人
- 饭岛朝雄
- 平井昌吾
- 檀柏梅
- 王立春
- 伊藤达也
- 冈崎亨
- 冯光建
- 北嶋宏通
- 远藤仁誉
- 郭西
- 黄雷
- 齐木一
- 严晓浪
- 中村利美
- 崔嵩
- 张浩
- 松浦宜范
- 柳井威范
- 桧森刚司
- 渡边悟
- 丁蕾
- 东谷秀树
- 中田义弘
- 中马敏秋
- 伊藤彰二
- 刘凯
- 加藤正明
- 周强
- 大泽正行
- 姚海龙
- 宫本浩二
- 小泽健
- 尾崎史朗
- 山本义之
- 山田薰平
- 朝日俊行
- 村井曜
- 杨帆
- 林伸之
- 永井清惠
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刘永彪
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摘要:
Thin film mutli-layer technology is the key technology of Three-dimensional packaging It has many advantages such as higher integration, larger wiring density, shorter transmission distance, faster transmission speed, that made it win high reputation in electronics fields. Present process of thin film mutli-layer technology, and solve some problems such as cracking of polyimide medium, electroplating float, open hole, electric band and so on, and implement a high density wiring structure which has three layers of polyimide medium and four layers of circuit.%薄膜多层布线工艺是三维封装的关键技术之一,具有线条细、精度高和线间距小等优点,而薄膜多层电路相应具有布线密度高、信号传输速度快和高频特性好等优势,在电子领域备受青睐。介绍了薄膜多层布线工艺技术,通过对聚酰亚胺介质膜成型技术、介质膜表面导带形成技术以及通孔柱形成技术的研究,解决了多层布线技术中介质膜“龟裂”、电镀“浮胶”以及通孔接触电阻大或者“断台”等难点问题,实现了3层介质4层电路的高密度布线结构。
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张浩;
叶东毅;
郭文忠
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摘要:
直角斯坦纳树问题是大规模集成电路物理设计中重要的基本模型.现代集成电路设计需要同时考虑障碍和多层布线等约束条件.通过构造布线图,提出一种多层绕障直角斯坦纳最小树启发式算法.为了避开障碍和连通各布线层之间的引脚,本文引入了三种候选通孔位置.在同一布线层内,通过扩展满直角斯坦纳树网格来构造单层布线图,再使用候选通孔互联成多层布线图.在多层布线图中,引入候选斯坦纳点来构造斯坦纳树,并以标记的引导点执行局部搜索策略来提高求解质量.实验结果表明,本文算法能够有效求解多层绕障直角斯坦纳最小树问题.本文算法所得总布线权重与最新的两种算法相比,改进率可达2.34%和5.48%.
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刘耿耿;
郭文忠;
陈国龙
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摘要:
Steiner最小树作为VLSI布线的基础模型,应进一步考虑到X结构、障碍物、多层等条件,文中基于粒子群优化提出了多层绕障X结构Steiner最小树算法.首先引入边变换操作以改变布线树的拓扑,使其具有较强的绕障能力;为了避免边变换操作带来的布线树环路问题,结合并查集策略设计新的操作算子;为了保证布线边不违反约束,提出一个与绕障情况及通孔数相关的惩罚函数策略,从而优化了多层布线中布线总代价这一最重要的目标.实验结果表明,相对于同类算法,该算法在布线总代价的优化能力上是最强的.
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韩力英;
牛新环;
刘玉岭
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摘要:
随着超大规模集成电路向高集成、高可靠性及低成本的方向发展,对集成电路制作过程中的全局平坦化提出了更高的要求.ULSI多层布线CMP中粗糙度对器件的性能有明显影响,因此本文主要研究多层互连钨插塞材料CMP过程中的表面粗糙度影响因素及控制技术,分析了抛光过程中影响粗糙度的主要因素,确定了获得较低表面粗糙度的抛光液配比及抛光工艺参数.%With the developing of ULSI to high density ofintegration, high reliability and low cost,the global planarization during IC fabrication are raised higher request. During CMP process, roughness of ULSI multilevel metallization layer influences the device performances directly. In this study, the key factors and controlling technology of influencing tungsten plug surface roughness during CMP process were studied, and the slurry optimal and polishing process parameters of gaining low surface roughness was gotten.
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程心;
解光军;
杨依忠
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摘要:
提出一种以多层布线的通孔优化为目标、同时满足相交约束的算法.当群体收敛到一定程度时,根据惩罚项选择个体,直到产生完全满足约束条件的可行解.让群体在可行解的范围内进行精确搜索,得到全局最优解.采用稳态繁殖和最佳个体保存法提高算法的效率.该算法可避免产生不可行解,解决收敛速度和全局搜索性之间的矛盾,得到满意的通孔优化效果.
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王永光;
赵永武
- 《第八届全国摩擦学大会》
| 2007年
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摘要:
化学机械抛光(CMP)技术是实现超大规模集成电路(ULSI)多层布线平坦化的唯一技术。就国内外关于CMP材料原子/分子磨损机理的试验和模型研究状况和发展进行了评述。指出现有微观试验和模型描述CMP材料原子/分子磨损过程中存在的问题,提出在原子/分子量级的材料磨损机理研究中引入原子/分子能量理论,以便深入揭示CMP材料原子/分子去除机理,为建立精确控制CMP过程提供理论依据。
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胡永达;
蒋明;
杨邦朝;
崔嵩
- 《中国仪器仪表学会第四届青年学术会议》
| 2002年
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摘要:
研究了MEMS封装用A1N共烧基板中,浆料对基板平整度和电性能的影响.共烧基板浆料以W为导电材料,SiO为添加剂配制而成,结果表明SiO的质量分数在0.45﹪时,A1N多层布线共烧基板的导带方阻达到10mΩ/□基板的翘曲度小于50μm/50mm.
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