安森美半导体

摘要： 安森美半导体发布To-Leadless(TOLL)封装的碳化硅(SiC)MOSFET。该晶体管满足了对适合高功率密度设计的高性能开关器件迅速增长的需求。直到最近,SiC器件一直采用明显需要更大空间的D2PAK 7引脚封装。TOLL封装的尺寸仅为9.90 mm×11.68 mm,比D2PAK封装的PCB面积节省30%,而且,它的外形只有2.30 mm,比D2PAK封装的体积小60%。

摘要： 去年8月,全球知名的半导体大厂安森美半导体(ON Semiconductor)正式更名为安森美(onsemi),此举也拉开了安森美从传统的IDM(垂直整合制造)模式向更灵活的FabLiter模式转型的序幕。那么经过1年多的转型,安森美的转型情况如何?

摘要： 近日,安森美半导体举办了线上年终媒体沟通会,总结了在2020年这个特殊年份,安森美半导体取得的成就和对接下来的展望。安森美半导体公司战略、营销及方案工程高级副总裁David Somo称,2020年的疫情,对任何行业来说,都始料未及,在疫情冲击下,全球经济陷入衰退,中国或将成为2020年全球主要经济体中唯一实现正增长的经济体。安森美半导体预计,明年的经济将出现好转,预计将出现5.2%的增长。

摘要： 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)推出一系列新的碳化硅(SC)MOSFET装置,适用于功率密度、能效和可靠性要求极高的相关应用。去年全球笼罩疫情阴影之下,5G基础建设、Wi-Fi需求递延至去年下半年才陆续发酵,展望今年,随着各国5G基站、Wi-Fi需求回温,各大品牌厂积极推出5G手机,今年渗透率可望倍增,砷化镓厂稳懋、全新、宏捷科积极扩产,今年营运可望维持高档,加上近期自驾车光达LiDAR商机浮现,砷化镓厂营运再添想象。

摘要： 2021年2月18日,推动高能效创新的安森美半导体,发布一系列新的碳化硅(SiC)MOSFET器件,适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。设计人员用新的SiC器件取代现有的硅开关技术,将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、服务器电源(PSU)、电信和不间断电源(UPS)等应用中实现显著更好的性能。

摘要： 在许多应用中,电气隔离是一项重要的要求,特别是在涉及高功率电路和低功率电路的地方,以及高边和低边接地需要分开的地方。尽管隔离技术已经存在多年了,但已演变以满足新应用的需求,如可再生能源的逆变器、工业自动化、储能以及电动和混合动力汽车的逆变器和正温系数(PTC)加热器,通常使用基于IGBT技术的功率开关来实现这些应用的电源、转换电路。功率开关将配置为复杂的半桥和全桥拓扑,必须使用具有高驱动电流的门极驱动器高效地开关。此处可以选择分立门极驱动器电路,但通常集成驱动器的能效要高于分立门极驱动器电路。特别是内置有片上电隔离的高驱动电流门极驱动器具有进一步的优势,例如功率密度提高、传播延迟更短、信号完整性更好以及工作温度范围更宽。

摘要： 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),发布一系列新的碳化硅(SiC)MOSFET器件,适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。设计人员用新的SiC器件取代现有的硅开关技术,将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、服务器电源(PSU)、电信和不间断电源(UPS)等应用中实现显著更好的性能。

摘要： 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),正把握机会以助embedded world 2021 DIGITAL展会成功举办。安森美半导体提供独特的观展体验,共有21个产品演示,并重点介绍最新推出的几款产品,及展示一个完整的传感器到云方案。

摘要： 近年来,激光雷达被越来越多地应用于汽车、工业等应用领域,因其在探测距离以及角度和深度分辨率等方面都有着明显的优势,尤其是硅光电倍增管(SiPM)技术发展势头强劲,具备独特的功能集,已成为广阔市场深度传感应用的首选传感器。安森美半导体作为拥有此技术的市场领袖,提供高性能的硅基单光子探测器,为激光雷达解决更远的距离要求、超低目标反射率的探测、对环境光等噪声的抑制的技术挑战,同时大幅降低整体成本,有助于实现激光雷达的大规模应用。

摘要： 安富利(Avnet)与推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)联手创建了一种框架,来帮助原始设备制造商(OEM)更快地开发端到端物联网(IoT)设备。此合作成果利用安森美半导体的快速原型系统方案简化了构建IoT赋能设备的流程,这些方案已预先配置,可通过云端联接到IoT应用开发商和服务提供商。安富利的IoTConnect平台由Microsoft Azure和相关的安富利IoT合作伙伴计划提供支持,促进了这种联接。

摘要： 一种有机晶体管，其具有半导体有源层，该半导体有源层含有由下式表示且分子量为3000以下的化合物(X为氧、硫、硒、碲原子或NR

摘要： 作为实施方式之一，本发明涉及一种晶体，包含金属氧化物，所述金属氧化物包含Ga和Mn并具有刚玉结构。

摘要： 本发明提供同时实现了荧光量子效率的提高和耐热性的提高的半导体纳米粒子复合体。本发明的一个方式的半导体纳米粒子复合体为在半导体纳米粒子的表面配位有包含配体I和配体II的2种以上的配体的半导体纳米粒子复合体，其中，所述配体包含有机基团和配位性基团，所述配体I具有一个巯基作为所述配位性基团，所述配体II至少具有两个以上的巯基作为所述配位性基团。

摘要： 本发明涉及一种半导体纳米粒子复合体，其为在半导体纳米粒子的表面配位有配体的半导体纳米粒子复合体，其中，所述半导体纳米粒子包含In和P，所述配体包含下述通式(1)表示的巯基脂肪酸酯，所述巯基脂肪酸酯的SP值为9.30以下，通式(1)：HS‑R1‑COOR2 (1)通式(1)中，R1为碳原子数为1～11的烃基，R2为碳原子数为1～30的烃基。根据本发明，能够提供在纯化前后保持较高的荧光量子效率(QY)的半导体纳米粒子复合体。

摘要： 一种氮化物半导体层叠物，其具有：基板，其具有由氮极性面形成的表面、以及与表面处于相反侧的由III族元素极性面形成的背面，所述基板由III族氮化物半导体形成；保护层，其至少设置在基板的背面侧，耐热性比基板的背面高；以及半导体层，其设置在基板的表面侧，由III族氮化物半导体形成，半导体层中的O的浓度低于1×10

摘要： 一种半导体用膜组合物，其包含：化合物(A)，具有包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团、且重均分子量为1万以上40万以下；交联剂(B)，在分子内具有3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及水(D)，所述化合物(A)为脂肪族胺。

摘要： 一种半导体用膜组合物，其包含：化合物(A)，具有Si‑O键以及包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团；交联剂(B)，在分子内具有3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及极性溶剂(D)。

摘要： 根据本发明的制造半导体衬底的方法包括：制备包括半导体材料的籽晶衬底(1)的步骤，在籽晶衬底(1)上执行离子注入的步骤，由此离子注入层(2)形成为距离籽晶衬底(1)的主表面的表面一定深度；利用气相合成方法在籽晶衬底(1)的主表面上生长半导体层(3)的步骤；以及通过利用光(4)照射半导体层(3)和/或籽晶衬底(1)的主表面的表面的步骤，由此分离包括籽晶衬底的至少一部分(1a)和半导体层(3)的半导体衬底(5)。

摘要： 一种光半导体元件封装组合物，其是含有封装树脂和光扩散性有机颗粒的光半导体元件封装组合物。封装树脂的折射率与光扩散性有机颗粒的折射率之差的绝对值为0.020以上且0.135以下。光扩散性有机颗粒相对于光半导体元件封装组合物的含有比率为1质量％以上且10质量％以下。光半导体元件封装组合物用于光半导体元件的封装。

摘要： 本实用新型涉及一种基于安森美S-FSK调制解调方式的载波信号发送电路。本实用新型的目的是提供一种信号放大功率高、散热效果好的基于安森美S-FSK调制解调方式的载波信号发送电路，以提高系统稳定性和载波通讯距离，同时保证通讯质量。本实用新型的技术方案是：基于安森美S-FSK调制解调方式的载波信号发送电路，其特征在于：它包括发送使能控制电路、前端滤波电路、信号功率放大电路和后端滤波电路。本实用新型适用于智能电能表间载波通讯的载波信号发送电路信号的增益，实现智能电能表的用电量采集和通讯。