微电子学

摘要： 所有署名作者向本刊提交文章发表之行为,视为同意将文章版权(含各种介质、媒体的版权,包括但不限于复制权、发行权、汇编权、翻译权、信息网络传播权、展览权等)无限期地在全世界范围内唯一转让给《微电子学与计算机》编辑部,并允许《微电子学与计算机》编辑部将授权内容转授权给第三方使用。

摘要： 所投稿件已通过学校/单位的保密审查,不涉及国家秘密、企业秘密或其他阻碍公开发表的内容,可以公开发表。投稿遵循文责自负原则,如违反相关法律法规,《微电子学与计算机》编辑部不负任何其他责任。

摘要： 《微电子学与计算机》是国内唯一的微电子学科与计算机学科相结合的专业刊物,是介绍微电子学与计算机方面理论探索,展示微电子学与计算机领域学术和工程应用成果的专业刊物$《微电子学与计算机》刊登的内容覆盖微电子、计算机领域的各个学科,以论文、技术报告、短文、研究简报、综述等形式报道。本刊重点关注微电子、计算机学科领域的原创性工作。

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摘要： 随着我国综合实力和经济水平的不断进步,科学技术水平也迈上了一个新的台阶.与计算机技术、通信技术并称21世纪三大科学技术的传感器技术也应用于生产生活中的各个方面,为人们的生活带来了很大的便利.传感器一般由敏感元件、转换元件和基本转换电路组成。可以通过试验确立传感器的输入量与输出量之间的关系，对传感器进行标定，同时也确立出不同使用条件下的误差关系。传感器的种类纷繁复杂，可以根据其工作原理、能量转换情况、物理原理以及输入信息等进行分类；它在工业、医学、汽车、环境、农业、军事等方面都有着广泛的应用。今后利用微电子学，使传感器和微处理器结合在一起实现各种功能的单片智能传感器，仍然是智能传感器的主要发展方向之一。可以利用生物工艺研制传感器功能材料，完善智能器件原理和智能材料的设计方法，实现人工智能化、制动化。

摘要： 本文根据硅压阻式压力传感器生产过程和出厂检验中的不合格现象,应用微电子学理论和电子元器件可靠性工程理论进行了原因分析,并从生产工艺角度提出了有效控制成品率提高可靠性的方法.

摘要： 研究了矢量网络分析仪的校准算法NIST Multiline TRL.该算法利用多根、冗余的传输线作为标准覆盖所有校准频率,这些传输线的信息可用来减小探针与校准件接触重复性等带来的随机误差.介绍了Multiline TRL算法对TRL校准中的误差进行线性分析的过程,结合未见文献详细报道的部分技术方案,给出了校准常数的计算结果.与商用的Multiline TRL软件进行比较,计算表明:在25GHz,传输幅度相差小于0.03dB,相位相差小于0.2°;反射幅度相差小于0.002,相位相差小于0.5°。

摘要： 研究了矢量网络分析仪的校准算法NIST Multiline TRL.该算法利用多根、冗余的传输线作为标准覆盖所有校准频率,这些传输线的信息可用来减小探针与校准件接触重复性等带来的随机误差.介绍了Multiline TRL算法对TRL校准中的误差进行线性分析的过程,结合未见文献详细报道的部分技术方案,给出了校准常数的计算结果.与商用的Multiline TRL软件进行比较,计算表明:在25GHz,传输幅度相差小于0.03dB,相位相差小于0.2°;反射幅度相差小于0.002,相位相差小于0.5°。

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摘要： 研究了矢量网络分析仪的校准算法NIST Multiline TRL.该算法利用多根、冗余的传输线作为标准覆盖所有校准频率,这些传输线的信息可用来减小探针与校准件接触重复性等带来的随机误差.介绍了Multiline TRL算法对TRL校准中的误差进行线性分析的过程,结合未见文献详细报道的部分技术方案,给出了校准常数的计算结果.与商用的Multiline TRL软件进行比较,计算表明:在25GHz,传输幅度相差小于0.03dB,相位相差小于0.2°;反射幅度相差小于0.002,相位相差小于0.5°。

摘要： 在片散射参数(Scattering Parameters,S参数)的精确测量离不开传输线特征阻抗的精确定义.介绍了能准确定义传输线特征阻抗的NIST Multiline TRL(Multi-Thru Reflect Line)算法.在自主推导相关公式基础上,开发了Mutli-TRL校准软件WYB,并对校准软件测试结果进行了验证.测量片上参考标准RM8130上的校准标准和验证件,分别作为WYB软件和Wincal软件的输入量来测试S参数.数据表明:在1GHZ～40GHz频段内,传输幅度相差小于0.06dB,相位相差小于0.2°;反射幅度相差小于0.005,相位相差小于0.9°。

摘要： 在片散射参数(Scattering Parameters,S参数)的精确测量离不开传输线特征阻抗的精确定义.介绍了能准确定义传输线特征阻抗的NIST Multiline TRL(Multi-Thru Reflect Line)算法.在自主推导相关公式基础上,开发了Mutli-TRL校准软件WYB,并对校准软件测试结果进行了验证.测量片上参考标准RM8130上的校准标准和验证件,分别作为WYB软件和Wincal软件的输入量来测试S参数.数据表明:在1GHZ～40GHz频段内,传输幅度相差小于0.06dB,相位相差小于0.2°;反射幅度相差小于0.005,相位相差小于0.9°。

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摘要： 在片散射参数(Scattering Parameters,S参数)的精确测量离不开传输线特征阻抗的精确定义.介绍了能准确定义传输线特征阻抗的NIST Multiline TRL(Multi-Thru Reflect Line)算法.在自主推导相关公式基础上,开发了Mutli-TRL校准软件WYB,并对校准软件测试结果进行了验证.测量片上参考标准RM8130上的校准标准和验证件,分别作为WYB软件和Wincal软件的输入量来测试S参数.数据表明:在1GHZ～40GHz频段内,传输幅度相差小于0.06dB,相位相差小于0.2°;反射幅度相差小于0.005,相位相差小于0.9°。

摘要： 一种用于控制制造加工的自动逐次运行控制器，该控制器包含一套加工工具，一套在加工工具上进行计量测量的计量工具，和一个管理、控制加工工具的监控站。监控站包含一个接口，用于接收计量工具测量的数据；和一系列可变参数表，每一个可变参数表用于一个加工工具，这些可变参数表集体地关联于制造加工的工作程序。监控站还包含一个或多个内部模式，这些模式使收到的计量数据与一个加工工具的一个或多个变量联系起来，它们还可以修改储存在可变参数表里的变量采用反馈和/或前馈控制算法控制加工工具。在某些实施方案中，前馈算法可以用于调节闭环反馈控制的加工目标。监控站可以有一个用户接口，利用这种接口，可以根据系统实验的或预估的行为交互地选择不同的反馈或前馈模型格式(单一或多个-变量)，而且还允许用户利用他们自己的模型进行逐次运行控制。

摘要： 设计和制造了一台可自我寻址，自我组装的微电子装置，它能以显微形式主动地进行和控制多步和多路的分子生物学反应。这些反应包括核酸杂交，抗体/抗原反应，诊断，和生物高分子合成。该装置能借助微平版印刷和微加工技术而制造。该装置能电子控制特异性结合实体的转移和结合到特异性微场所上。特异性结合实体包括分子生物学分子例如核酸和多肽。该装置能在被寻址的特异性微场所上逐次地控制分析物或反应物的转移和反应。该装置能浓缩分析物和反应物，移走非特异性结合的分子，为DNA杂交反应提供严格控制，和提高对分析物的识别力。该装置能电子地被复制。

摘要： 一种改进的制作用在微电子应用中镀有介质膜的衬底的方法,其中通过将镀膜的衬底对电子束流曝光而处理该介质膜。经过电子束曝光而固化的衬底具有优越的介电特性、密度、均匀性、热稳定性和氧稳定性。

摘要： 一种用于控制制造加工的自动逐次运行控制器,该控制器包含一套加工工具,一套在加工工具上进行计量测量的计量工具,和一个管理、控制加工工具的监控站。监控站包含一个接口,用于接收计量工具测量的数据;和一系列可变参数表,每一个可变参数表用于一个加工工具,这些可变参数表集体地关联于制造加工的工作程序。监控站还包含一个或多个内部模式,这些模式使收到的计量数据与一个加工工具的一个或多个变量联系起来,它们还可以修改储存在可变参数表里的变量采用反馈和/或前馈控制算法控制加工工具。在某些实施方案中,前馈算法可以用于调节闭环反馈控制的加工目标。监控站可以有一个用户接口,利用这种接口,可以根据系统实验的或预估的行为交互地选择不同的反馈或前馈模型格式(单一或多个－变量),而且还允许用户利用他们自己的模型进行逐次运行控制。

摘要： 提供了用于在微电子学中在低温和较短的退火持续时间下进行直接金属间键合的层结构。示例键合界面结构能够在150°C或在150°C以下的低退火温度下以及较低的能量预算下实现互连件的直接金属间键合。示例结构为被键合的导电焊盘和过孔提供了精确的金属凹陷距离，该金属凹陷距离可以在高量产中被实现。示例结构提供了在键合界面之下的导电层的竖直堆叠，导电层的竖直堆叠的几何形状和热膨胀特征被设计为在较低的温度下、在精确的凹陷距离内使得堆叠竖直膨胀，以进行直接金属间键合。诸如表面纳米纹理和铜晶面选择的进一步增强可以以降低的退火温度和较短的退火持续时间进一步促使直接金属间键合。

摘要： 提供了用于在微电子学中增加可靠性和提高产率的直接键合堆叠结构。针对存储器模块和3DIC提供了用于减少垂直堆叠管芯中的缺陷的结构特征和堆叠配置。例如，示例工艺减轻了较厚的顶部管芯与其下方的直接键合管芯之间的翘曲应力。顶部管芯上的蚀刻表面可以减轻翘曲应力。示例堆叠可以包括在管芯之间的顺应层。另一堆叠配置用模制材料层代替顶部管芯以规避翘曲应力。键合表面上的腔体阵列可以减轻应力。还可以在顶部管芯的一侧或在其他管芯之间创建一个或多个应力平衡层以减轻或对抗翘曲。边缘圆角化可以防止应力和压力破坏性地传递穿过管芯和衬底层。这些措施可以一起或组合应用于单个封装中。

摘要： 本公开涉及微电子学中在低温下进行直接金属间键合的层结构。提供用于在微电子学中在低温和较短退火持续时间下进行直接金属间键合的层结构。示例键合界面结构能够在150°C或在150°C以下的低退火温度下以及较低能量预算下实现互连件的直接金属间键合。示例结构为被键合的导电焊盘和过孔提供了精确的金属凹陷距离，该金属凹陷距离可以在高量产中被实现。示例结构提供在键合界面之下的导电层的竖直堆叠，导电层的竖直堆叠的几何形状和热膨胀特征被设计为在较低的温度下、在精确的凹陷距离内使得堆叠竖直膨胀，以进行直接金属间键合。诸如表面纳米纹理和铜晶面选择的进一步增强可以以降低的退火温度和较短的退火持续时间进一步促使直接金属间键合。

摘要： 提供了用于在微电子学中在低温和较短的退火持续时间下进行直接金属间键合的层结构。示例键合界面结构能够在150°C或在150°C以下的低退火温度下以及较低的能量预算下实现互连件的直接金属间键合。示例结构为被键合的导电焊盘和过孔提供了精确的金属凹陷距离，该金属凹陷距离可以在高量产中被实现。示例结构提供了在键合界面之下的导电层的竖直堆叠，导电层的竖直堆叠的几何形状和热膨胀特征被设计为在较低的温度下、在精确的凹陷距离内使得堆叠竖直膨胀，以进行直接金属间键合。诸如表面纳米纹理和铜晶面选择的进一步增强可以以降低的退火温度和较短的退火持续时间进一步促使直接金属间键合。

摘要： 提供了在微电子学中用于接合异种材料的技术。示例技术使用厚度介于100纳米至1000纳米之间的薄氧化物、碳化物、氮化物、碳氮化物或氧氮化物中间物，在环境室温下直接键合异种材料。中间物可以包括硅。异种材料可能具有显著不同的热膨胀系数(CTE)和/或显著不同的晶格晶胞几何形状或尺寸，常规上讲会导致应变过大以使得直接键合不可行。在直接键合异种材料之后，环境室温下的固化时段允许直接键合增强200％以上。以每分钟1°C或更低的温度增加速率缓慢施加的相对低温的退火会进一步增强和巩固直接键合。示例技术可以在各种新型光学器件和声学器件的制作过程中将钽酸锂LiTaO3直接键合到各种传统衬底。

摘要： 钴或铜合金的电沉积以及在微电子学中的用途。本发明涉及制造钴或铜互连的方法，以及能够实施所述方法的电解液。pH小于4.0的电解液包含钴离子或铜离子、氯离子、锰离子或锌离子以及至多两种低分子量的有机添加剂。这些添加剂中的一种可以是α‑羟基羧酸。