王茂荫

摘要： 王茂荫军事思想是王茂荫思想体系的重要组成部分,并以军事谋略思想为其基本特征。在反对外国侵略方面,他提出积极防御、广招人才、发动民众的抵抗策略;在应对太平军等反清力量方面,他提出据守长江要地,全民动员进行陆地布防,打击捻军并防止太平军与捻军结盟,开展地方团练,建立战时地方剿抚体制,宽待被裹挟者从而瓦解太平军队伍等主张;在军队建设方面,他提出了培养军事将领、不拘一格选拔军事人才、加强军事训练和开展后勤建设等诸多方面的建议。虽然王茂荫的军事思想有其历史局限性,但仍具有一定的现实借鉴意义。

摘要： 王茂荫是马克思《资本论》中提到的唯一中国人.王茂荫政德观主要内容表现在忠诚、为民和自律三个方面;王茂荫政德观与党内政治文化在精神品格方面、价值取向方面、道义原则方面、务实精神方面和高贵品质方面是高度契合的;在阐述王茂荫政德观主要内容、分析王茂荫政德观与党内政治文化契合性的基础上,提出王茂荫政德观对党内政治文化建设的启示:党内政治文化建设要坚持忠诚老实的政治品格、坚持人民至上理念、坚持公道正派的道德原则、坚持实事求是的思想路线、坚持清正廉洁的政治本色.

摘要： 咸丰时期,清政府面临严重的经济危机,王茂荫提出两个币制改革方案以应对.清政府暗中鼓励王茂荫负责发行钞币并推行通货膨胀政策,以迅速积聚货币,解决清政府的急需,但受到王茂荫的抵制.他试图说服皇帝实施他的方案去制止已经发生的严重通货膨胀.王茂荫的币制改革方案,集中地反映了他的纸币流通思想和铸币流通思想.其纸币流通思想的理论基础是货币金属主义;其行钞思想的核心是"以实运虚";其方法是"数实辅一虚""纸币兑现"和"运虚",在一定程度上接近对货币流通规律性的认识.王茂荫应对咸丰朝金融危机的币制改革思想的出发点和立足点仍具多方面的当代价值.

摘要： 党员和领导干部既要自身廉洁,更要教育督促子女清白做人,培育良好家风。其良好家风培育需要从中华传统优秀家训中汲取营养和智慧。晚清徽州人王茂荫名垂青史亦非只因其卓越的经济才华,更以廉政、謇谔、孝悌流传后世。在徽州重文崇儒的文风、重家训的家风以及王氏家族讲忠孝的门风等因素影响下,王茂荫遗留千字家训,其廉政奉公的治国之道、孝悌勤俭的齐家之法、砥品植学的立身之基,都为当今新时代领导干部家庭孕育时代家庭新风、铸牢家国情怀、打造廉政底色等方面提供借鉴和启示。

摘要： 坐落在杭徽线上昌源河畔的皖歙杞梓里镇内,山高路陡,林茂修竹,曲径通幽,四季分明,涵养水分充足,梅雨季节和冬季极易催生瀑布流和翻腾不息的云海。这里是马克思《资本论》里提到的货币经营改革专家王茂荫的故里,走出过不少泼墨挥洒的画家,也哺育了一位位传承砚雕技艺的工匠大师。

摘要： 马克思的《资本论》巨作中提到了680多个人名,而王茂荫,则是马克思在《资本论》中提到的一个中国人。在马克思第一卷里,有这么一条注释:“清朝户部右侍郎王茂荫,向天子上了一个奏折,主张暗将官票宝钞改为可兑现的钞票。在1854年4月的大臣审议报告中,他受到严厉申饬。他是否因此受到笞刑,不得而知。”

摘要： 王茂荫曾任监察御史,因上疏反对钞法改革而被马克思写入《资本论》。王茂荫也成为被《资本论》唯一提到的中国人。

摘要： 咸丰年间,因太平天国起义及黄河连年决堤,清廷税收大减,财政窘迫,国库日渐空虚。太平军先后占领长江中、下游地区,军威所及,各省地丁、盐课、关税、杂赋都无法照旧征收,以致地丁多不足额,税课仅存虚名。咸丰元年(1851年)九月十九日,因军需、河饷开支迫切,陕西道监察御史王茂荫首先建议朝廷推行钞法。他在《条议钞法折》中称:"臣见往年议平银价,内外臣工多为铸大钱之说,因私拟为钞法,以为:两利取重,两害取轻,行钞之利,不啻十倍于大钱,而其弊则亦不过造伪不行而止。"清廷对待纸币,一向存有戒心,尤其是鉴于顺治年间滥发纸币所造成的后果,因此,咸丰皇帝的态度十分谨慎,只是将奏折批交户部议奏,而户部则"斥其非"。

摘要： 为了挽救清政府的生存危机,王茂荫总结历史以来货币发行的经验和教训,提出了限制纸币发行量、银钞中半、名实相符等货币理论,其思想的先进性是值得赞许的.从马克思的货币理论角度来讲,王茂荫的货币思想局限性在于他没有通过科学的方法来得出市场货币的需要量以及单纯认为金属货币是保证纸币流通的唯一方法.纸币能否流通,关键在于依靠政府的强大信用,只要政府遵循市场货币流通规律,纸币是完全可以脱离金属货币而独立存在的.

摘要： 晚清名臣王茂荫家藏名物典籍甚富,历经成同兵火、清末民国间战乱以及十年文革的“破四旧”,幸存十不剩一。在遭毁或散佚的文物中,清道光年间问世的名画《贞松慈竹图》与册页《节孝录》,可以说是最为珍贵的两件。这两件文物,至今不知所终。

摘要： 一种荫罩材料，特征在于：其化学组成为：C＝0.0030%(重量)，Si＝0.03%(重量)，Mn：0.1-0.5%(重量)，P＝0.02%(重量)，S＝0.02%(重量)，Al：0.01-0.07%(重量)，N＝0.0030%(重量)，B：其含量满足关系0.5≤B/N≤2，余者为Fe和不可避免的杂质，并且，该材料制成的荫罩的矫顽力为90A/m或更低；一种制备所述材料的方法，其特征在于：采用具有上述化学组成的材料作为原材料，热轧终了温度比Ar3点低0-30°C，卷取温度为650-700°C，在最终轧制(二次冷轧)时的轧制压下量为30-45%。采用所述方法制备的材料的磁性能在卷材中均匀一致并且如上所述优异。

摘要： 一种镍铁型荫罩的制造方法，镍铁合金带，荫罩板，荫罩柜，其中开孔的镍铁合金板包括35-37%重量的Ni和总量少于0.1%重量的Mn、Cr和Si，且0.9%重量的Co使热处理能获得不小于7的ASTM晶粒数，且由此而获得的板能得到具有小于或等于0.9×10

摘要： 本发明涉及一种分离辛基二茂铁同分异构体(2‑辛基)‑二茂铁、(3‑辛基)‑二茂铁及(4‑辛基)‑二茂铁的方法，以工业品辛基二茂铁为原料，通过制备型HPLC分离，通过一次制备可以获得纯度大于92.7％的(2‑辛基)‑二茂铁、(3‑辛基)‑二茂铁及(4‑辛基)‑二茂铁，第二次制备获得纯度大于99.3％的(2‑辛基)‑二茂铁、(3‑辛基)‑二茂铁及(4‑辛基)‑二茂铁，回收率大于75.0％。

摘要： 本发明涉及一种用于制造金属荫罩的方法，并且涉及一种用于制造具有其上形成的掩膜图案的荫罩的方法，本主题为用于使用混合加工方法来制造荫罩的方法以及由此制造的荫罩，用于制造荫罩的方法包括：用于在基底的上侧上执行湿法蚀刻的湿法蚀刻步骤；以及用于在其中形成湿法蚀刻图案的基底的下侧或者上侧上执行激光加工的激光加工步骤，由此形成对湿法蚀刻的图案的延续的激光加工的图案。因此，湿法蚀刻和激光加工被混合使用，并且因此解决了由于传统激光加工工艺导致的生产力恶化问题，并且示出了能够借助于湿法蚀刻提供高质量荫罩的效果。

摘要： 本发明涉及一种用于制造金属荫罩的方法和荫罩，并且涉及一种用于制造具有其上形成的掩膜图案的荫罩的方法，本主题为用于使用混合加工方法来制造荫罩的方法以及由此制造的荫罩，用于制造荫罩的方法包括：用于在基底的上侧上照射激光束的激光加工步骤，由此在基底上形成激光加工图案；以及用于在其中形成激光加工的图案的基底的下侧或者上侧上执行湿法蚀刻的湿法蚀刻步骤，由此形成对激光加工的图案的延续的湿法蚀刻的图案。因此，激光加工和湿法蚀刻被混合使用，并且因此解决了由于传统激光加工工艺导致的生产力恶化问题，并且示出了能够借助于湿法蚀刻提供高质量荫罩的效果。

摘要： 本发明提供一种所堆积的成膜材料不易剥落的荫罩和使用该荫罩制造的显示装置。在通过蒸镀或者溅射使成膜材料堆积的成膜处理中用于图案形成的荫罩，其包括：设置在与成膜对象物相对的一侧的第1树脂膜；形成有缝隙的、设置在上述第1树脂膜的上方的金属部；和以覆盖上述金属部的上方的至少一部分的方式设置的第2树脂膜，上述第2树脂膜设置在暴露于上述成膜材料的一侧，上述第2树脂膜的表面被粗化。

摘要： 一种具有优异抗拉强度和磁性能的荫罩材料；一种生产所述荫罩材料的方法；一种使用所述荫罩材料的荫罩；以及一种包括所述荫罩的彩色显像管。一种钢坯含有C：≤0.004wt.％，Si：≤0.03wt.％，Mn：0.1－0.5wt.％，P：≤0.02wt.％，S：≤0.02wt.％，Al：0.01－0.07wt.％，N：≤0.0040wt.％，B：≤0.01wt.％，Nb：≤0.1wt.％和Ti：0.0001－0.1wt.％，余者为Fe和不可避免的杂质。对所述钢坯进行热轧、酸洗和冷轧，进一步进行连续退火或箱式退火，以便将残余C含量降低至0.003wt.％或更低，并且还进行轧制比为20－92％的二次冷轧。结果，获得了一种荫罩材料。

摘要： 本发明关于一种用于有机发光二极管(OLED)材料图案化气相沉积的荫罩和荫罩模块。荫罩包括在拉伸应力下的陶瓷膜，所述陶瓷膜包括具有多个通孔的中央膜区域。而通孔形成孔阵列，使汽化的沉积材料可以通过该孔阵列。外围膜区域围绕中央膜区域。多层外围支撑件附接至外围膜区域的后表面，并在中央膜区域下方具有中空部分。多层外围支撑件具有基底层和位于压缩应力下的中间层，该中间层位于基底层上方并附着至外围膜区域的下表面。选择中间层的压缩应力以平衡陶瓷膜的拉伸应力，使得陶瓷膜保持在平面状态。荫罩模块包括具有多个支撑窗的刚性载体和附着于支撑窗框上的多个荫罩。

摘要： 一种荫罩材料，特征在于：其化学组成为：C＝0.0030％(重量)，Si＝0.03％(重量)，Mn：0.1－0.5％(重量)，P＝0.02％(重量)，S＝0.02％(重量)，Al：0.01－0.07％(重量)，N＝0.0030％(重量)，B：其含量满足关系0.5≤B/N≤2，余者为Fe和不可避免的杂质，并且，该材料制成的荫罩的矫顽力为90A/m或更低；一种制备所述材料的方法，其特征在于：采用具有上述化学组成的材料作为原材料，热轧终了温度比Ar3点低0－30°C，卷取温度为650－700°C，在最终轧制(二次冷轧)时的轧制压下量为30－45％。采用所述方法制备的材料的磁性能在卷材中均匀一致并且如上所述优异。

摘要： 本发明涉及一种分离辛基二茂铁同分异构体(2-辛基)-二茂铁、(3-辛基)-二茂铁及(4-辛基)-二茂铁的方法，以工业品辛基二茂铁为原料，通过制备型HPLC分离，通过一次制备可以获得纯度大于92.7％的(2-辛基)-二茂铁、(3-辛基)-二茂铁及(4-辛基)-二茂铁，第二次制备获得纯度大于99.3％的(2-辛基)-二茂铁、(3-辛基)-二茂铁及(4-辛基)-二茂铁，回收率大于75.0％。