互连技术
互连技术的相关文献在1989年到2022年内共计255篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、自动化技术、计算机技术、电工技术
等领域,其中期刊论文200篇、会议论文24篇、专利文献161438篇;相关期刊117种,包括国际学术动态、机电元件、电子电路与贴装等;
相关会议24种,包括第八届炼油与石化工业技术进展交流会、第十七届全国相图学术会议暨相图与材料设计国际研讨会、第七届全国信号和智能信息处理与应用学术会议等;互连技术的相关文献由326位作者贡献,包括何晓宇、曾翔君、李琼等。
互连技术—发文量
专利文献>
论文:161438篇
占比:99.86%
总计:161662篇
互连技术
-研究学者
- 何晓宇
- 曾翔君
- 李琼
- 杨旭
- 王兆安
- 王晓宝
- 郭御风
- 傅丰林
- 尹亚明
- 杨涛
- 林金堵
- 王欣
- P·帕瓦兰德
- Raiola
- Ralph
- RalphRaiola
- 刘光明
- 刘全威
- 刘刚
- 刘国友
- 吉宪
- 周伟安
- 宋光德
- 尤尔根·勒泽尔
- 左朋莎
- 应济
- 建山
- 张卫
- 徐炜遐
- 朱骏
- 权云星
- 李学明
- 李炳宗
- 李腊元
- 杨建生
- 杨银堂
- 栗大超
- 桂天真
- 王家兵
- 王桂芬
- 田舒婷
- 耿完桢
- 胡志勇
- 苏芮戌·瑞玛林嘉
- 莫腾·克里斯腾森
- 董刚
- 郭肖肖
- 金纳胡
- 金重浩
- 陈林
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摘要:
Arm宣布,Arm Neoverse路线图再添新员,新产品植根于Arm的可扩展效率和技术领先地位,同时强化了Arm支持合作伙伴持续快速创新的承诺。为满足大型互联网和HPC客户的需求,并在不增加功耗和面积的情况下,进一步推动云工作负载性能,Arm推出Neoverse V2平台(代号“Demeter”),该平台配备最新的V系列核心和产业广泛部署的Arm CMN 700 mesh互连技术。Neoverse V2将为云和HPC工作负载提供市场领先的整型性能,并引入若干Armv9架构安全增强功能。
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摘要:
汽车产业正在经历变革,产品开发周期变得越来越短。为提升技术领先地位,科技公司大陆集团投资搭建了属于自己的人工智能(AI)超级计算机。该超级计算机由运用NVIDIA InfiniBand互连技术连接的DGX系统提供动力支持。位于法兰克福的超级计算机数据中心,为全球各地的开发人员提供计算能力和存储功能。
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王锦彪1
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摘要:
当前计算机技术与通信网络技术正在快速发展,促使我国社会已经步入了全新的信息发展时代,与传统且单一的信息传递模式相比较,运用通信网络互连技术更够使信息传递更加便捷、快速。当前运用网络信息技术的社会群体不断增加,使得网络信息全面开放,在人们的生活中网络技术占有很大比重。本文重点对计算机通讯的互连技术进行分析与研究。
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摘要:
2019年3月13日,英特尔携手阿里巴巴、思科、戴尔EMC、Facebook、谷歌、HPE、华为以及微软宣布成立Compute Express Link(CXL)开放合作联盟,旨在共同合作开发CXL开放互连技术并制定相应规范,促进新兴应用模式的性能突破,同时支持面向数据中心加速器和其他高速增强的开放生态系统。
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王翠萍;
戴拖;
卢勇;
阮晶晶;
郭毅慧;
刘兴军
- 《第十七届全国相图学术会议暨相图与材料设计国际研讨会》
| 2015年
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摘要:
集成电路中Cu互连线在低温下可通过扩散形成Cu-Si化合物,而影响零件可靠性,在Cu中掺杂合适的元素来阻止Cu-Si化合物形成和界面扩散成为Cu互连技术需要解决的关键问题.为了研究Al的添加对Cu/Si薄膜界面扩散行为的影响,本研究采用磁控溅射方法在Si基底上沉积Cu-0.9 at.%Al、Cu-1.8 at.% Al和Cu-2.7 at.% Al三种不同成分的Cu-Al合金薄膜,然后在真空气氛下对样品进行不同温度(400~600°C)热处理,通过XRD、SEM和电阻测试仪分析Al的添加对Cu薄膜热稳定性及电阻率的影响.Cu-1.8 at.% Al薄膜在400°C/4h和500°C/1h热处理后,只有Cu的衍射峰,但是在600°C/1h和400°C/11h热处理后,薄膜中析出Cu3Si化合物相.电阻率随热处理温度变化结果如图2所示,Cu-1.8 at.% Al薄膜在500°C及以下温度热处理1h时,电阻率逐渐减小,但在600°C热处理时,由于Cu3Si化合物相析出,薄膜电阻率快速上升.薄膜横截面SEM形貌也证实了Cu-Al合金薄膜保持完整,在界面处没有Cu-Si化合物生成,对比得出Cu-1.8 at.% Al薄膜具有最好的热稳定性.研究表明添加适量的Al,能够有效抑制Cu/Si薄膜界面扩散行为且保持较低的电阻率.
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WANG Xiaobo;
王小波
- 《四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会》
| 2012年
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摘要:
本文简要回顾了功率集成电路制造中常用三种降低互连线引入到体硅表面大电场的互连方式:使用结隔离(Junction Isolation)的互连方式,使用自隔离(Self-Isolation)的互连方式,使用介质隔离(Dielectric Isolation)的互连方式.简要介绍了它们的基本原理和结构和为了克服基本结构中存在的问题的改进结构.结隔离(JI)/互连中,介绍了四种降低互联线引入电场的方法:电阻场板技术(Resistive Field Plate),多浮空场板技术(Multiple Floating Field Plate),引入Si02分压,结终端扩展技术(Junction Termination Extension).以及它们结构参数变化对击穿电压的影响.自隔离/互连中,介绍了基本自隔离结构,为了克服漏电流而引入的分区自隔离/互连,最后介绍了一种新型的结构.最后介绍了介质隔离/互连.
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