匈奴族

摘要： 金姓的来源非常复杂,而旦还混有匈奴族的血统,其历史流变丰富多彩金姓名人金圣叹临死前上演了怎样的幽默故事?金姓的来源相当复杂。一个说法是出自少昊金天氏。传说中少昊是古代东夷部落首领,名挚,号金天氏,这个部落以鸟为图腾。

摘要： 汉武帝元朔二年(前126)的某一天,来自西域的阵阵驼铃声敲碎了汉都的寂静。张骞带着一身来自河西走廊的沙尘,回到这座阔别十三年之久的长安城。自十三年前踏上这条西去之路,张骞在西域的匈奴、大宛(yuān)、大月氏(zhī)等族的领地辗转奔波,离开时是百余人的浩荡长队,返回时只有自己和匈奴族的随从堂邑父两人。张骞后来再次前往西域,被汉武帝封为"博望侯",而他探索出来的这条道路,后来被人们称为"丝绸之路"。

摘要： 秦始皇统一六国当了皇帝之后,还不满足,老想着把西边的山填进东边的海,山河大海全部变成平原,那才称心如意。不过,这么浩大的工程,他一时想不出好办法来实施,只能放在心里。那时候,北方有个匈奴族,经常南下骚扰秦朝边境。于是,秦始皇下令从全国各地抓人到北方修长城,把匈奴阻挡在长城之外。

摘要： 西汉初年的娄敬出身低微,却以三个漂亮的大手笔,功载史册,位列王侯,为西汉王朝的巩固和发展贡献了力量。第一个大手笔:定都都城是一个政权的中枢和心脏,是国之根本,直接关乎天下的兴亡。那么,赢得了楚汉战争的刘邦以及他的''智囊团''准备将这个新兴政权的都城定在哪里呢?在当时的君臣们看来,非洛阳莫属了。

摘要： 站在满目疮痍、支离破碎的黄土高原上,我真的很想流泪。我不知道我们的祖先是经过怎样的煎熬、怎样的苦痛才生存下来的。自从中华大地上有了人类活动的足迹,我们的祖先就在这块土地上留下了刀耕火种的痕迹。黄土高原这块厚重的土地,每一段城墙,每一座古堡,每一块石碑,以及所有人类留下的遗迹都在给我们讲述着一曲曲悲壮的故事、一段段辛酸的历史。上古三代时的黄土地,是各个邦国诸侯争夺的焦点。

摘要： 他们能征善战,被称为＂马背上的王者＂;他们是草原文明的缔造者和传承者;他们的铁骑不断踏入农业文明的领地,通过掠夺资源,来延续自己的存在;他们一批批地从蒙古高原冲出去,征服了许多的亚洲帝国,并且一度成为了半个欧洲的统治者。这个民族有着一个让人敬畏的名字——匈奴!

摘要： 有这样一个传说长盛不衰：汉武帝派卫青霍去病北击匈奴,封狼居胥,把匈奴打得举族西迁。这群匈奴人跑啊跑,一路跑到了欧洲,捎带手灭亡了罗马帝国,最后在匈牙利落了脚,否则匈牙利怎么对得起国名里的那个匈字呢？由此得出的推论更是脍炙人口：因为汉朝打败了匈奴,匈奴灭了罗马,想必汉朝也是比罗马要强上不少的。既然罗马帝国是欧洲有史以来疆域面积最大的帝国,千百年来,欧洲各国的权力游戏基本围绕地中海展开,而地中海在那个时候成了帝国的内湖。

摘要： 西汉元狩二年(前121年)春三月,汉武帝发动河西之役,派遣骠骑将军霍去病从陇西出发,攻破匈奴右部,取得此战大捷。此战之后,匈奴浑邪王和休屠王的部众四万余人归降汉朝。经过一番讨论,汉朝政府采取"分徙降者,(于)边五郡故塞外,而皆在河南,因其故俗,为属国"的措施,在今鄂尔多斯高原

摘要： 西晋灭亡以后,中国北方进入动乱年代,先后出现了五胡十六国。这期间,一个叫大夏(史称胡夏)的国家应运而生,虽然它仅仅存在二十余年,在历史长河中只是过眼云烟,但是这个国家的领导人自我感觉特好,自以为功盖天地,成就非凡。这个大夏国的建立者为赫连勃勃,其姓名和国号都不同凡响,很有来头。赫连勃勃,字屈孑,匈奴铁伐部人,原名刘勃勃,与前赵(后汉)建立者刘渊同族,系匈奴

摘要： 正那是在一千六百多年前,西晋灭亡之后,中国出现了一个大分裂的局面。那个时候,鲜卑族、匈奴族等少数民族逐鹿中原,先后建立了十多个政权,其中鲜卑人慕容德建立的南燕国就以广固城为都城,称为燕都尹。广固城在今山东省青州市的西南四公里的尧王山下。而在此之前慕容德的部下曾建议在滑台或彭城建都,而慕容德没采用,偏偏选定广固建都城。慕容德是公元三九八年在滑台称燕王的。滑台也就是现在的河南滑县东。在建元称帝后,慕容德发现在滑台建很不合适。查阅了一些资料,我才明白慕容德为什么不在

摘要： @@公元前3世纪，匈奴族在我国北方建立了强大的游牧民族政权。历史上，对于任何一个民族来说，政权的建立是这个民族文明进步的重要标志。政权的存在及其强弱和与之相应的政治制度的建设、发展、演变是民族文明的有机组成部分，也是衡量这个民族政治文明程度的重要参考线索。作为匈奴政治制度中的一项重要内容——世袭制度被匈奴民族充分实行和运用，在全社会表现出不可逾越的、严格的等级、阶层关系的存在，从而保证着统治权永远掌握在少数人手中，经济上分化出对立的统治阶级和被统治阶级。

摘要： @@匈奴是我国古代北方最早建立国家政权的游牧民族。从表面上看，匈奴政权的统治架构是以孪鞮氏为核心，但其实质则是通过血缘关系的亲疏来分配、继承统治阶级所掌握的财产和权力的，这种分配团结和凝聚了同姓贵族之间、异姓贵族之间、同姓贵族和异姓贵族之间的关系，加强了以孪鞮氏为首的统治阶级的统治地位，理顺了关系，在一定程度上防止了混乱和内耗。

摘要： @@匈奴族是第一个统一我国北方草原地带的游牧民族，匈奴王朝与秦汉王朝对峙，匈奴遗民直到南北朝时期还在建立自己的政权。北匈奴西迁后，对欧洲产生了震荡性影响。匈奴在中国历史上活动时间为战国末期到东汉前期三百年间，匈奴活动的空间以蒙古高原为中心，包括中国的北方草原地区以及今蒙古国和俄罗斯外贝加尔湖地带。匈奴人的社会生活不但与中原汉族的社会生活迥然有别，匈奴人的社会生活方式的选择是由生存环境所决定的，而且匈奴的社会生活，在北方诸族中产生了重要影响，在匈奴以后的北方民族社会生活中常能看到匈奴社会生活的痕迹。匈奴社会生活是草原文化的重要内容。以往对匈奴社会生活进行研究，主要以匈奴社会生活的某个方面为对象的研究。本文利用文献以及考古材料，试图对匈奴人的物质生活及其精神生活作综合论述，由于资料和能力所限，一定有很多不足之处，望各位学者多多指正。

摘要： 一种芳香族聚酯，作为构成单元，其包含：(A)下述式(a)所表示的重复单元、(B)芳香族二羧酸来源的重复单元、(C)选自芳香族二胺及具有羟基的芳香族胺中的芳香族胺来源的重复单元、和(D)芳香族二醇来源的重复单元；相对于(A)至(D)的重复单元的合计，(A)的重复单元的含有率为10摩尔％以上且小于20摩尔％，(B)的重复单元的含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(C)的重复单元和(D)的重复单元的合计含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(D)的重复单元的含有率超过0摩尔％且小于15摩尔％。‑O‑Ar1‑CO‑ (a)式中，Ar1表示1,4‑亚苯基、2,6‑亚萘基或4,4’‑亚联苯基；Ar1所表示的基团中的至少一个氢原子任选分别独立地被卤素原子、烷基或芳基取代。

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 公开不仅在生长温度为1050°C下或低于1050°C的AlGaN、GaN或GaInN的情况下，而且在生长温度高并且具有高的Al组成的Al

摘要： 本发明提供一种催化活性的降低得以抑制、能高效地制造芳香族烃的芳香族烃制造用催化剂结构体以及具备该芳香族烃制造用催化剂结构体的芳香族烃制造装置。本发明的芳香族烃制造用催化剂结构体的特征在于，具备：多孔质结构的载体，由沸石型化合物构成；以及至少一种催化剂物质，存在于所述载体内，所述载体具有相互连通的通道，所述催化剂物质为金属微粒，存在于所述载体的至少所述通道。

摘要： 一种芳香族聚酯，作为构成单元，其包含：(A)下述式(a)所表示的重复单元、(B)芳香族二羧酸来源的重复单元、(C)选自芳香族二胺及具有羟基的芳香族胺中的芳香族胺来源的重复单元、和(D)芳香族二醇来源的重复单元；相对于(A)至(D)的重复单元的合计，(A)的重复单元的含有率为10摩尔％以上且小于20摩尔％，(B)的重复单元的含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(C)的重复单元和(D)的重复单元的合计含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(D)的重复单元的含有率超过0摩尔％且小于15摩尔％。‑O‑Ar1‑CO‑ (a)式中，Ar1表示1,4‑亚苯基、2,6‑亚萘基或4,4’‑亚联苯基；Ar1所表示的基团中的至少一个氢原子任选分别独立地被卤素原子、烷基或芳基取代。

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 公开不仅在生长温度为1050°C下或低于1050°C的AlGaN、GaN或GaInN的情况下，而且在生长温度高并且具有高的Al组成的Al

摘要： 提供第III族氮化物半导体用外延基板、第III族氮化物半导体元件和第III族氮化物半导体用自立基板，其产生不仅用于具有1050°C以下生长温度的材料如AlGaN、GaN和GaInN、而且用于具有高生长温度的高铝Al