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室温连续激射的GaN基多量子阱激光器

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制作了GaN基多量子阱激光器,实现了室温连续激射。以(0001)面蓝宝石为衬底,在金属有机物化学气相外延(MOCVD))设备上生长激光器外延片,制作了条宽2.5μm、腔长800μm的脊形波导激光器管芯,测试了激光器在室温下的直流电学和光学特性,21℃直流连续激射的阈值电流115mA,阈值电压10.5V。阈值电流密度5.75KA/cm<'-2>,注入1.3倍阈值电流下输出功率9.6mW,斜率效率0.22W/A,激射波长在402.8-418nm之间;随注入电流增大,激射波长显著红移,并出现多个激射模式,这一现象与热积累引起器件温度升高导致的增益谱展宽和红移有关。

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来源
《第十届全国MOCVD学术会议》|2007年|36-38|共3页
会议地点广州
作者
张立群; 陈良惠; 张书明; 曹青; 朱建军; 刘宗顺; 赵德刚; 段俐宏; 江德生; 杨辉;
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作者单位

中国有色金属学会;

中国有色金属工业协会;

华南师范大学;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类
关键词
GaN; 激光器; 阈值; 串连电阻; 光谱;

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