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GaN HEMT大信号等效电路模型的参数提取

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在小信号模型的基础上对GaN HEMT器件的大信号模型进行了分析,重点研究了EEHEMT非线性等效电路模型,用分段函数表征了模型中的非线性元件.对栅宽为2×100μm、栅长为0.25μm的GaN HEMT器件进行了EEHEMT模型的参数提取,并在不同的直流偏置下对模拟S参数和测量S参数进行了对比,两者吻合得很好,验证了提取的模型参数的准确性.

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来源
《2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术》|2016年|246-249|共4页
会议地点上海
作者
骆丹婷; 沈溧; 高建军;
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作者单位

上海市学位委员会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN325.3;
关键词
氮化镓高电子迁移率晶体管器件; 等效电路模型; 参数提取; 直流偏置;

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