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基于大信号等效电路模型的GaN器件工艺参数统计分析方法

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提出一种基于GaN器件等效电路模型的工艺参数分析方法，所述分析方法包括：步骤一：建立GaN器件小信号等效电路模型，提取小信号模型参数；步骤二：建立GaN器件大信号等效电路模型，提取大信号模型参数，即非线性电流源模型参数和非线性电容模型参数；步骤三：以器件的实测微波特性为目标，调谐优化大信号模型参数；步骤四：基于建立的大信号模型提取多批次GaN器件的工艺参数，并对所述工艺参数进行统计分析。上述GaN器件模型的工艺参数的统计分析方法首先建立GaN器件小信号等效电路模型，然后建立工艺参数关联的GaN器件大信号等效电路模型，通过多批次器件建模最终获得工艺参数统计分布，有用于器件成品率分析和工艺参数优化。

著录项

公开/公告号CN107636656B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-27

原文格式PDF
申请/专利权人电子科技大学;
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申请/专利号CN201680014212.2
发明设计人徐跃杭;闻彰;徐锐敏;延波;
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申请日2016-07-12
分类号G06F30/30(20200101);
代理机构11569 北京高沃律师事务所;
代理人王戈
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2022-08-23 11:23:01

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