首页> 中文会议>第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 >GaN场效应晶体管的器件隔离技术

GaN场效应晶体管的器件隔离技术

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

氮化镓(GaN)半导体具有宽带隙、高饱和电子漂移速率、高临界击穿电场及通过异质结结构形成高电子密度的二维电子气等材料特性,使其在高温、高频电力电子器件领域具有独特的优势.AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFET)和GaN金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)是GaN场效应晶体管中的典型代表,可应用于无线通信、军事雷达等微波功率器件及汽车逆变器等耐压功率器件，本文研究了适于AlGaN/GaN HFET的02等离子体处理隔离工艺及其氧化机理，制作出具有高导通／关断电流比的HFET器件；开发了GaN MOSFET的B场注入隔离工艺，实现了条形器件的场隔离，并发现同时具有台面和注入的结构有利于降低器件的界面态密度。

著录项

来源
《第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议》|2015年|273-274|共2页
会议地点苏州
作者
江滢; 敖金平; 王德君;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类场效应器件;
关键词
场效应晶体管; 氮化镓; 器件隔离; 氧化机理; 界面态密度;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 采用注入隔离制造的AlGaN/GaN HEMTs器件 [J] . 肖冬萍 ,刘键 ,魏珂 . 半导体学报：英文版 . 2004,第4期
2. 用硬开关VIENNA Boost转换器描述A1GaN／GaN／A1Ga功率双异质结场效应晶体管 [J] . 田琦 ,袁立强（译） . 电力电子 . 2011,第001期
3. GaN基功率型微波双异质结构场效应晶体管的技术发展 [J] . S.I.Petrov ,A.N.Alexeev ,D.M.Krasovitsky . 电子工业专用设备 . 2013,第002期
4. 基于p-GaN结构的GaN HEMT功率电子器件和数字电路单片集成技术 [J] . 倪金玉 ,孔岑 ,周建军 . 电源学报 . 2019,第003期
5. 柔性可拉伸场效应晶体管器件的材料选择和器件制备 [J] . 崔浩然 ,宋健 ,王跃林 . 功能材料与器件学报 . 2021,第4期
6. AlGaN/GaN HEMT器件隔离研究 [C] . 刘键 ,肖冬萍 ,魏珂 . 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 . 2003
7. GaN基场效应晶体管的器件隔离技术研究 [A] . 江滢 . 2016

GaN场效应晶体管的器件隔离技术

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅