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基于分子束外延AlN单晶薄膜的声表面波器件

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声表面波(Surface Acoustic Wave,SAW)器件是射频滤波、信号延迟、脉冲压缩等,是无线通讯、导航等领域中信号处理技术的核心元件之一,具有插入损耗低、阻带抑制比高、带宽较宽的优点,而且制作工艺简单,制作成本低,便于集成.SAW传感器还可用于气体传感、物质识别和定量分析,在医疗、生物、材料分析领域有广阔的应用前景.本研究采用在蓝宝石上用分子束外延生长的高质量AIN单晶薄膜和Ti/Al复合电极，利用抬离工艺，通过优化光刻和电极溅射工艺，制作SAW器件。器件的响应特性采用矢量网络分析仪进行分析。图1所示为AJN薄膜的表面形貌和XRD摇摆曲线，AlN薄膜的表面均方根粗糙度为1.8nm，(0002)面的XRD摇摆曲线半峰宽为103arcsec。研究发现，当AIN表面存在高密度Al滴(图2(a))时，器件会失效，这可能是由于A滴改变了电场分布的缘故。同时，制作器件时还应注意AlN的极性，N极性薄膜可与碱性显影液发生反应。

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来源
《第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议》|2015年|151-152|共2页
会议地点苏州
作者
高俊宁; 郝智彪; 鄂炎雄; 钮浪; 汪莱; 孙长征; 熊兵; 韩彦军; 王健; 李洪涛; 罗毅; 李国强;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类声光器件;
关键词
声表面波器件; 氮化铝单晶薄膜; 分子束外延; 工艺优化;

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