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王建峰; 刘建平; 任国强; 张纪才; 张书明; 徐科; 杨辉;
中国电子学会;
氮化物半导体; 单晶材料; 氢化物气相外延生长; 同质外延生长;
机译:低压HVPE在升华-AIN衬底上AlN同质外延生长
机译:在独立的HVPE氮化镓上通过分子束外延生长GaN和AlGaN / GaN异质结构的同质外延,用于电子设备应用
机译:等离子体辅助分子束外延生长在稀氮化物半导体生长过程中的氮气流驱动Al意外掺入
机译:MBE在GaN模板上同质外延生长的氮化物半导体中载流子动力学的亚皮秒发光研究
机译:通过分子束外延生长基于III族氮化物的结和器件的异质和同质外延生长。
机译:反射高能电子衍射研究金属卤化物晶体的同质外延生长
机译:等离子辅助分子束外延生长的III族氮化物半导体
机译:结合HVpE横向外延过生长和mBE方法制备的III族氮化物紫外探测器阵列。
机译:利用HVPE外延生长具有亚微米III族氮化物层的半导体器件结构的设备
机译:利用HVPE外延生长具有亚微米III族氮化物层的器件结构的方法
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