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氢在HWCVD低温外延多晶硅薄膜中的作用

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本文采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术,在低温下(525℃)进行多晶硅薄膜的外延生长,研究了氢在多晶硅薄膜低温外延中的作用.制备的硅薄膜Raman谱中几乎观察不到480cm-1的非晶散射峰,表明在525℃衬底温度下,硅薄膜高度晶化.在氢稀释度大于90％的条件下,Raman谱中晶硅峰(520cm-1)半高宽为4.4cm-1,与单晶硅相近.XRD测试表明,高氢稀释度条件下,多晶硅薄膜显示出与硅衬底相同的(100)的择优取向.SEM截面图初步表明,氢稀释度的增加有利于提高多晶硅薄膜致密度.

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来源
《第13届中国光伏大会》|2013年|440-444|共5页
会议地点北京
作者
曹勇; 张海龙; 刘丰珍; 朱美芳;
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作者单位

中国可再生能源学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.12:TN304.055;
关键词
多晶硅薄膜; 热丝化学气相沉积工艺; 外延生长; 氢元素;

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