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ZriCl2退火对Cd1-xZnxTe多晶薄膜性质的影响

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使用真空共蒸发法沉积了Cd1-xZnxTe多晶薄膜,在气相ZnCl2源气氛下进行了不同温度、不同时间、不同过程的退火处理,并对样品进行了XRF、SEM、透过谱、导电类型等性质测试.结果表明,使用ZnCl2源一步退火后样品禁带宽度无显著减小,但膜面受破坏显著,退火温度对样品导电类型及各元素比例有重要影响.使用ZnCl2源两步退火可得到膜面完整、晶粒显著增大、禁带宽度无明显减小的Cd1-xZnxTe薄膜样品,退火温度及ZnCl2量对膜面形貌及电学性质有重要影响.使用气相ZnCl2源在320蒸源0min,再在380或440条件下退火10min是Cd1-xZnxTe多晶薄膜较优的退火条件.

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来源
《第13届中国光伏大会》|2013年|439|共1页
会议地点北京
作者
金硕;
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作者单位

中国可再生能源学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.2:TN304.05;
关键词
镉锌碲多晶薄膜; 真空共蒸发工艺; 退火处理; 物理性能;

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