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Graphene/AlGaN/GaN双异质结HEMT电子输运特性研究

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本文研究了考虑外加栅压下的graphene/AlGaN/GaN双异质结中的单层石墨烯引起的远程表面粗糙散射以及远程电荷散射。石墨烯诱导了远程表面粗糙散射以及远程电荷散射，但是单层石墨烯的有效地接触克服了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管表面漏电流问题。单层石墨烯引起的远程表面粗糙散射以及远程电荷散射数值上比界面粗糙散射与失配位错散射高出了一个数量级以上，因此石墨烯对电子迁移率的限制可以被忽略。单层石墨烯的存在还能使得肖特基势垒高度以及AlGaN/GaN沟道中2DEG电子密度得到调控。

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来源
《第八届全国大学生创新创业年会》|2015年|20-25|共6页
会议地点哈尔滨
作者
刘曦文;
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作者单位

教育部;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类场效应器件;
关键词
高电子迁移率晶体管; 电子迁移率; 异质结; 石墨烯; 氮化铝镓; 氮化镓; 远程表面粗糙散射; 远程电荷散射;

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