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部分SOI VDMOS的导通电阻模型

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分析了不同宽度和高度的部分SOI对导通电阻的贡献，提出了元胞重构法，建立部分SOIVDMOS的导通电阻模型。在A点处于外延层3区时，分析外延层场分布对器件内的电流分布的影响，引入吸引系数k，修正部分埋氧引入而带来场分布二级效应对电阻模型影响。结果表明，考虑二级效应的电阻模型解析懈与数值仿真结果吻合好。

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来源
《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》|2007年|653-657|共5页
会议地点重庆
作者
李泽宏; 陈光柄; 徐学良; 张子澈; 张波; 徐世六; 李肇基; 王洪; 谭开洲; 刘玉魁;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN325.3:TN301;
关键词
金属氧化物半导体晶体管; 电学性能; 仿真模型; 数值分析;

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