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2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's
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1.
A novel Injection Enhanced Floating Emitter (IEFE) IGBT structure improving the ruggedness against short-circuit and thermal destruction
机译:
一种新颖的注入增强型浮动发射极(IEFE)IGBT结构,提高了抗短路和热破坏的坚固性
作者:
Riteshkumar Bhojani
;
Josef Lutz
;
Roman Baburske
;
Hans-Joachim Schulze
;
Franz-Josef Niedemostheide
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
insulated gate bipolar transistors;
leakage currents;
short-circuit currents;
2.
A composite structure named self-adjusted conductivity modulation SOI-LIGBT with low on-state voltage
机译:
具有低导通电压的自调节电导率调制SOI-LIGBT复合结构
作者:
Weifeng Sun
;
Jing Zhu
;
Zhuo Yang
;
Fangjuan Bian
;
Xin Tong
;
Ye Tian
;
Yangbo Yi
;
Yan Gu
;
Sen Zhang
;
Wei Su
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
insulated gate bipolar transistors;
silicon-on-insulator;
3.
A circuit simulation flow for substrate minority carrier injection in smart power ICs
机译:
智能功率集成电路中衬底少数载流子注入的电路仿真流程
作者:
Michael Kollmitzer
;
Markus Olbrich
;
Erich Barke
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
Substrates;
Sensors;
Mathematical model;
Integrated circuit modeling;
Electric potential;
Current density;
Circuit simulation;
4.
Characterization of X-ray radiation hardness of diamond Schottky barrier diode and metal-semiconductor field-effect transistor
机译:
金刚石肖特基势垒二极管和金属半导体场效应晶体管的X射线辐射硬度表征
作者:
Hitoshi Umezawa
;
Shinya Ohmagari
;
Yoshiaki Mokuno
;
Junichi H. Kaneko
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
diamond;
leakage currents;
radiation hardening (electronics);
Schottky barriers;
Schottky diodes;
Schottky gate field effect transistors;
semiconductor device breakdown;
5.
Conductivity modulation in the channel inversion layer of very narrow mesa IGBT
机译:
超窄台面IGBT的沟道反型层中的电导率调制
作者:
Masahiro Tanaka
;
Akio Nakagawa
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
insulated gate bipolar transistors;
inversion layers;
MOSFET;
short-circuit currents;
6.
Current distribution based power module screening by new normal/abnormal classification method with image processing
机译:
通过新的正常/异常分类方法和图像处理,基于电流分布的功率模块筛选
作者:
Masanori Tsukuda
;
Daisuke Yuki
;
Hiroki Tomonaga
;
Hyoungseop Kim
;
Ichiro Omura
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
image classification;
inspection;
insulated gate bipolar transistors;
power electronics;
test equipment;
7.
Dependence of switching waveform on charge imbalance in superjunction MOSFET used in inductive load circuit
机译:
开关波形对电感负载电路中使用的超结MOSFET中电荷不平衡的依赖性
作者:
Daisuke Arai
;
Shigeru Hisada
;
Mizue Yamaji
;
Shinji Kunori
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
power factor correction;
power MOSFET;
semiconductor device manufacture;
silicon;
8.
Design and control of interface reaction between Al-based dielectrics and AlGaN layer for hysteresis-free AlGaN/GaN MOS-HFETs
机译:
无滞后AlGaN / GaN MOS-HFET的Al基介电层与AlGaN层之间的界面反应的设计和控制
作者:
K. Watanabe
;
M. Nozaki
;
T. Yamada
;
S. Nakazawa
;
Y. Anda
;
M. Isliida
;
T. Ueda
;
A. Yoshigoe
;
T. Hosoi
;
T. Shimura
;
H. Watanabe
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
aluminium compounds;
dielectric materials;
gallium compounds;
III-V semiconductors;
insulators;
MOSFET;
wide band gap semiconductors;
9.
Design of self-aligned 3.3-kV DMOSFET using tilted ion implantation
机译:
采用倾斜离子注入的自对准3.3kV DMOSFET的设计
作者:
Takahiro Morikawa
;
Takashi Ishigaki
;
Akio Shima
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
aluminium;
etching;
ion implantation;
masks;
MOSFET;
technology CAD (electronics);
10.
Dielectric RESURF as an alternative to shield RESURF for an improved and easy-to-manufacture low voltage trench MOSFETs
机译:
介电RESURF作为屏蔽RESURF的替代方案,用于改进和易于制造的低压沟槽MOSFET
作者:
Zia Hossain
;
Gourab Sabui
;
Z. John Shen
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
isolation technology;
low-power electronics;
power MOSFET;
11.
Direct photo emission monitoring for analysis of IGBT destruction mechanism using streak camera
机译:
通过条纹相机直接进行光发射监控以分析IGBT的破坏机理
作者:
Tomoko Matsudai
;
Koichi Endo
;
Tsuneo Ogura
;
Toru Matsumoto
;
Koro Uchiyama
;
Fuminori Niikura
;
Kazushige Koshikawa
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
insulated gate bipolar transistors;
photoemission;
power bipolar transistors;
streak cameras;
12.
Experimental study of the short-circuit performance for a 600V normally-off p-gate GaN HEMT
机译:
600V常关p栅GaN HEMT短路性能的实验研究
作者:
Thorsten Oeder
;
Alberto Castellazzi
;
Martin Pfost
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
HEMTs;
Gallium nitride;
Robustness;
Power dissipation;
Power electronics;
MODFETs;
13.
Fully integrated high voltage high current gate driver for MOSFET-inverters
机译:
MOSFET逆变器的完全集成高压大电流栅极驱动器
作者:
Bastian Vogler
;
Reinhard Herzer
;
Markus Dienstbier
;
Sven Buetow
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
choppers (circuits);
driver circuits;
invertors;
MOSFET circuits;
silicon-on-insulator;
14.
Chip-on-board assembly of 800V Si L-IGBTs for high performance ultra-compact LED drivers
机译:
800V Si L-IGBT的板载芯片装配,用于高性能超紧凑型LED驱动器
作者:
A. M. Aliyu
;
B. Mouawad
;
A. Castellazzi
;
P. Rajaguru
;
C. Bailey
;
V. Pathirana
;
N. Udugampola
;
T. Trajkovic
;
F. Udrea
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
assembling;
current density;
driver circuits;
insulated gate bipolar transistors;
leakage currents;
LED lamps;
15.
Experimental and numerical demonstration and optimized methods for SiC trench MOSFET short-circuit capability
机译:
SiC沟槽MOSFET短路能力的实验和数值演示及优化方法。
作者:
Masaki Namai
;
Junjie An
;
Hiroshi Yano
;
Noriyuki Iwamuro
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
failure analysis;
MOSFET;
semiconductor device reliability;
silicon compounds;
wide band gap semiconductors;
16.
High aspect ratio deep trench termination (HARDT) technique surrounding die edge as dielectric wall to improve high voltage device area efficiency
机译:
高纵横比深沟槽终端(HARDT)技术围绕芯片边缘作为电介质壁,以提高高压器件的面积效率
作者:
Takuya Yamaguchi
;
Hideki Okumura
;
Tatsuya Shiraishi
;
Tsuyoshi Fujita
;
Yoshifumi Ata
;
Kenya Kobayashi
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
dielectric materials;
electric fields;
passivation;
power MOSFET;
17.
High-speed power MOSFET with low reverse transfer capacitance using a trench/planar gate architecture
机译:
采用沟槽/平面栅极架构的低反向传输电容的高速功率MOSFET
作者:
Jin Wei
;
Yuru Wang
;
Meng Zhang
;
Huaping Jiang
;
Kevin J. Chen
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
electric fields;
field effect transistor switches;
numerical analysis;
power MOSFET;
power semiconductor switches;
semiconductor device models;
18.
Formulation of single event burnout failure rate for high voltage devices in satellite electrical power system
机译:
卫星电力系统中高压设备单事件熔断失败率的公式化
作者:
Yuji Shiba
;
Erdenebaatar Dashdondog
;
Masaki Sudo
;
Ichiro Omura
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
artificial satellites;
circuit reliability;
power electronics;
radiation hardening (electronics);
space vehicle electronics;
19.
High power density side-gate HiGT modules with sintered Cu having superior high-temperature reliability to sintered Ag
机译:
烧结铜的高功率密度侧栅HiGT模块具有比烧结Ag更高的高温可靠性
作者:
Tomoyasu Furukawa
;
Masaki Shiraishi
;
Yuusuke Yasuda
;
Akitoyo Konno
;
Mutsuhiro Mori
;
Toshiaki Morita
;
Sou Watanabe
;
Taiga Arai
;
Masato Nakamura
;
Daisuke Kawase
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
copper;
high-temperature electronics;
insulated gate bipolar transistors;
modules;
silver;
sintering;
20.
Highly accurate virtual dynamic characterization of discrete SiC power devices
机译:
离散SiC功率器件的高精度虚拟动态特性
作者:
Ivana Kovacevic-Badstübner
;
Thomas Ziemann
;
Bhagyalakshmi Kakarla
;
Ulrike Grossner
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
Integrated circuit modeling;
Silicon carbide;
Semiconductor device modeling;
MOSFET;
Couplings;
Numerical models;
Finite element analysis;
21.
Highly reliable high-temperature superplastic Al-Zn eutectoid solder joining with stress relaxation characteristics for next generation SiC power semiconductor devices
机译:
具有应力缓和特性的高度可靠的高温超塑性Al-Zn共析焊料,适用于下一代SiC功率半导体器件
作者:
Jin Onuki
;
Akio Chiba
;
Mitsuo Kawakami
;
Kunihiro Tamahashi
;
Yoshitaka Sugawara
;
Takashi Inami
;
Mamoru Kobiyama
;
Yoshinobu Motohashi
;
Yuji Kawamata
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
aluminium alloys;
eutectic alloys;
power semiconductor devices;
semiconductor device reliability;
silicon compounds;
solders;
superplasticity;
wide band gap semiconductors;
zinc alloys;
22.
Highly thermal-fatigue resistant Si3N4 substrates with excellent mechanical and thermal properties
机译:
高度耐热疲劳的Si3N4基板,具有出色的机械和热性能
作者:
Hiroyuki Miyazaki
;
You Zhou
;
Kiyoshi Hirao
;
Shinji Fukuda
;
Noriya Izu
;
Hideki Hyuga
;
Shoji Iwakiri
;
Hideki Hirotsuru
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
aluminium compounds;
bending strength;
brazing;
fracture toughness;
silicon compounds;
thermal stress cracking;
23.
Impact of substrate termination on dynamic performance of GaN-on-Si lateral power devices
机译:
衬底端接对GaN-on-Si横向功率器件动态性能的影响
作者:
Gaofei Tang
;
Jin Wei
;
Zhaofu Zhang
;
Xi Tang
;
Mengyuan Hua
;
Hanxing Wang
;
Kevin J. Chen
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
buffer layers;
electron traps;
elemental semiconductors;
gallium compounds;
III-V semiconductors;
power semiconductor devices;
silicon;
wide band gap semiconductors;
24.
Evaluation of drain current decrease by AC gate bias stress in commercially available SiC MOSFETs
机译:
通过市售SiC MOSFET中的AC栅极偏置应力评估漏极电流的降低
作者:
Mitsuru Sometani
;
Yohei Iwahashi
;
Mitsuo Okamoto
;
Shinsuke Harada
;
Yoshiyuki Yonezawa
;
Hajime Okumura
;
Hiroshi Yano
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
Technological innovation;
Next generation networking;
Power electronics;
25.
Investigation into HCl improvement by a split-reeessed-gate structure in an STI-based nLDMOSFET
机译:
在基于STI的nLDMOSFET中采用分栅式栅极结构改善HCl的研究
作者:
Takahiro Mori
;
Hiroki Fujii
;
Shunji Kubo
;
Takashi Ipposhi
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
hot carriers;
impact ionisation;
MOSFET;
semiconductor device reliability;
26.
High power, high frequency SiC-MOSFET system with outstanding performance, power density and reliability
机译:
高功率,高频SiC-MOSFET系统,具有出色的性能,功率密度和可靠性
作者:
Sven Buetow
;
Reinhard Herzer
;
Gunter Koenigsmann
;
Matthias Rossberg
;
Andreas Maul
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
driver circuits;
power MOSFET;
silicon compounds;
wide band gap semiconductors;
27.
IGBT field-stop design for good short circuit ruggedness and a better trade-off with respect to static and dynamic switching characteristics
机译:
IGBT场停止设计具有良好的短路耐用性,并在静态和动态开关特性方面取得了较好的折衷
作者:
H. P. Felsl
;
F.-J. Niedemostheide
;
H.-J. Schulze
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
doping profiles;
insulated gate bipolar transistors;
technology CAD (electronics);
28.
180nm HVIC technology for digital AC/DC power conversion
机译:
用于数字AC / DC电源转换的180nm HVIC技术
作者:
Don Disney
;
Wen-Cheng Lin
;
XiaoXin Liu
;
Swapnil Pandey
;
Jongjib Kim
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
AC-DC power convertors;
CMOS digital integrated circuits;
isolation technology;
power integrated circuits;
29.
A new 1200 V-class edge termination structure with trench double field plates for high dV/dt performance
机译:
具有沟槽双场板的新型1200 V级边缘终端结构,可实现高dV / dt性能
作者:
Wentao Yang
;
Hao Feng
;
Yong Liu
;
Xiangming Fang
;
Yuichi Onozawa
;
Hiroyuki Tanaka
;
Kaname Mitsuzuka
;
Johnny K. O. Sin
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
XML;
30.
A new downsized HVIC with high ESD tolerance
机译:
新型小尺寸HVIC,具有较高的ESD耐受性
作者:
Takahide Tanaka
;
Masaharu Yamaji
;
Akihiro Jonishi
;
Hidetomo Ohashi
;
Hitoshi Sumida
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
electrostatic discharge;
power integrated circuits;
31.
6.5 kV schottky-barrier-diode-embedded SiC-MOSFET for compact full-unipolar module
机译:
用于紧凑型全单极性模块的6.5 kV肖特基势垒二极管嵌入式SiC-MOSFET
作者:
Koutarou Kawahara
;
Shiro Hino
;
Koji Sadamatsu
;
Yukiyasu Nakao
;
Yusuke Yamashiro
;
Yasuki Yamamoto
;
Toshiaki Iwamatsu
;
Shuhei Nakata
;
Shingo Tomohisa
;
Satoshi Yamakawa
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
Xenon;
TV;
32.
A novel 1700V RET-IGBT (recessed emitter trench IGBT) shows record low VCE(ON), enhanced current handling capability and short circuit robustness
机译:
新型1700V RET-IGBT(嵌入式发射极沟槽IGBT)显示出创纪录的低VCE(ON),增强的电流处理能力和短路鲁棒性
作者:
Ian Deviny
;
Haihui Luo
;
Qiang Xiao
;
Yao Yao
;
Chunlin Zhu
;
Luther-King Ngwendson
;
Haibo Xiao
;
Xiaoping Dai
;
Guoyou Liu
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
Erbium;
33.
A novel high-voltage LDMOS with shielding-contact structure for HCl SOA enhancement
机译:
具有屏蔽接触结构的新型高压LDMOS,可增强HCl SOA
作者:
Hsin-Liang Liu
;
Ze-Wei Jhou
;
Shih-Teng Huang
;
Shu-Wen Lin
;
Ke-Feng Lin
;
Chiu-Te Lee
;
Chih-Chong Wang
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
electrical contacts;
impact ionisation;
MOSFET;
shielding;
silicon;
technology CAD (electronics);
34.
A snapback-free shorted-anode SOI LIGHT with multi-segment anode
机译:
带有多段阳极的无回弹式短阳极SOI LIGHT
作者:
Kun Zhou
;
Tao Sun
;
Qing Liu
;
Bo Zhang
;
Zhaoji Li
;
Xiaorong Luo
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
Erbium;
35.
Short-circuit capability in p-GaN HEMTs and GaN MISHEMTs
机译:
p-GaN HEMT和GaN MISHEMT中的短路能力
作者:
M. Fernández
;
X. Perpiñá
;
M. Vellvehi
;
X. Jordà
;
J. Roig
;
F. Bauwens
;
M. Tack
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
HEMTs;
MODFETs;
Gallium nitride;
36.
Simple and efficient approach to improve hot carrier immunity of a p-LDMOSFET
机译:
一种简单有效的方法来提高p-LDMOSFET的热载流子抗扰度
作者:
Atsushi Sakai
;
Katsumi Eikyu
;
Hiroki Fujii
;
Takahiro Mori
;
Yutaka Akiyama
;
Yasuo Yamaguchi
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Cooling;
Degradation;
Human computer interaction;
Stress;
Market research;
Doping;
37.
Suppression of self-excited oscillation for common package of Si-IGBT and SiC-MOS
机译:
抑制Si-IGBT和SiC-MOS通用封装的自激振荡
作者:
Katsuaki Saito
;
Tomoyuki Miyoshi
;
Daisuke Kawase
;
Seiichi Hayakawa
;
Toru Masuda
;
Yasushi Sasajima
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
Inductance;
38.
U-shaped channel SOI-LIGBT with dual trenches to improve the trade-off between saturation voltage and turn-off loss
机译:
具有双沟槽的U形沟道SOI-LIGBT,可改善饱和电压与关断损耗之间的折衷
作者:
Long Zhang
;
Jing Zhu
;
Weifeng Sun
;
Minna Zhao
;
Jiajun Chen
;
Xuequan Huang
;
Desheng Ding
;
Yan Gu
;
Sen Zhang
;
Bo Hou
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
Doping;
39.
SiC MOSFET with built-in SBD for reduction of reverse recovery charge and switching loss in 10-kV applications
机译:
具有内置SBD的SiC MOSFET,可减少10kV应用中的反向恢复电荷和开关损耗
作者:
Huaping Jiang
;
Jin Wei
;
Xiaoping Dai
;
Changwei Zheng
;
Maolong Ke
;
Xiaochuan Deng
;
Yogesh Sharma
;
Ian Deviny
;
Philip Mawby
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
power MOSFET;
Schottky diodes;
silicon compounds;
technology CAD (electronics);
wide band gap semiconductors;
40.
Increasing breakdown voltage of p-channel LDMOS in BCD technology with novel backside process
机译:
采用新颖的背面工艺提高BCD技术中p沟道LDMOS的击穿电压
作者:
Carsten Schmidt
;
Gerhard Spitzlsperger
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
Electrodes;
Substrates;
Silicon;
Implants;
Junctions;
Doping;
Bonding;
41.
Stacked resin structure for reducing warpage of transfer-molded modules
机译:
叠层树脂结构,减少传递模塑模块的翘曲
作者:
Seita Iwahashi
;
Takukazu Otsuka
;
Takashi Nakamura
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
ceramics;
moulding;
resins;
thermal expansion;
42.
High efficient approach to utilize SiC MOSFET potential in power modules
机译:
利用功率模块中SiC MOSFET电位的高效方法
作者:
Igor Kasko
;
Sven E. Berberich
;
Michael Gross
;
Peter Beckedahl
;
Sven Buetow
会议名称:
《》
|
2017年
关键词:
insulated gate bipolar transistors;
modules;
MOSFET;
silicon;
silicon compounds;
wide band gap semiconductors;
43.
Study of the electrostatic potential of the floating-p region during the turn-on period of IGBT
机译:
IGBT导通期间浮置p区域的静电势的研究
作者:
Yoshihiro Ikura
;
Yuichi Onozawa
;
Akio Nakagawa
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
insulated gate bipolar transistors;
MOSFET;
technology CAD (electronics);
44.
TCAD analysis of short-circuit oscillations in IGBTs
机译:
IGBT短路振荡的TCAD分析
作者:
Paula Diaz Reigosa
;
Francesco Iannuzzo
;
Munaf Rahimo
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
Insulated gate bipolar transistors;
Oscillators;
Logic gates;
Capacitance;
Integrated circuit modeling;
Shape;
Temperature;
45.
An AlGaN/GaN current regulating diode
机译:
AlGaN / GaN电流调节二极管
作者:
Anhang Zhang
;
Qi Zhou
;
Wanjun Chen
;
Yuanyuan Shi
;
Zhaoji Li
;
Bo Zhang
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
aluminium compounds;
anodes;
cathodes;
gallium compounds;
hysteresis;
semiconductor diodes;
46.
The future vision of industrial robot
机译:
工业机器人的未来愿景
作者:
Kenichi Yasuda
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
industrial robots;
47.
Investigation of current collapse mechanism of LPCVD Si3N4 passivated AlGaN/GaN HEMTs by fast soft-switched current-DLTS and CC-DLTFS
机译:
快速软开关电流-DLTS和CC-DLTFS研究LPCVD Si3N4钝化的AlGaN / GaN HEMT的电流崩塌机理
作者:
Xinhua Wang
;
Xuanwu Kang
;
Jinhan Zhang
;
Ke Wei
;
Sen Huang
;
Xinyu Liu
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
aluminium compounds;
chemical vapour deposition;
gallium compounds;
high electron mobility transistors;
III-V semiconductors;
passivation;
silicon compounds;
wide band gap semiconductors;
48.
Advanced RFC diode utilizing a novel vertical structure for soilness and high dynamic ruggedness
机译:
先进的RFC二极管,利用新颖的垂直结构实现污垢性和高动态坚固性
作者:
Katsumi Nakamura
;
Kazuhiro Shimizu
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
cathodes;
semiconductor diodes;
49.
Negative dynamic Ron in AlGaN/GaN power devices
机译:
AlGaN / GaN功率器件中的负动态Ron
作者:
P. Moens
;
M. J. Uren
;
A. Banerjee
;
M. Meneghini
;
B. Padmanabhan
;
W. Jeon
;
S. Karboyan
;
M. Kuball
;
G. Meneghesso
;
E. Zanoni
;
M. Tack
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
aluminium compounds;
gallium compounds;
III-V semiconductors;
power semiconductor devices;
semiconductor device reliability;
semiconductor device testing;
50.
New power module integrating output current measurement function
机译:
集成了输出电流测量功能的新型电源模块
作者:
S. Tabata
;
K. Hasegawa
;
M. Tsukuda
;
I. Omura
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
electric current measurement;
field programmable gate arrays;
integrating circuits;
invertors;
printed circuits;
51.
New calorimetrie power transistor soft-switching loss measurement based on accurate temperature rise monitoring
机译:
基于精确温升监控的新型量热式功率晶体管软开关损耗测量
作者:
D. Neumayr
;
M. Guacci
;
D. Bortis
;
J. W. Kolar
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
Temperature measurement;
Loss measurement;
Heat sinks;
Semiconductor device measurement;
Power measurement;
Logic gates;
Aluminum;
52.
Novel emitter controlled diode with copper metallization in ultrathin wafer technology: Setting a performance benchmark
机译:
超薄晶圆技术中具有铜金属镀层的新型发射极控制二极管:设定性能基准
作者:
F. J. Santos Rodriguez
;
D. Schloegl
;
F. Hille
;
P.C. Brandt
;
M. Pfaffenlehner
;
A.R. Stegner
;
A. Haertl
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
copper;
semiconductor device metallisation;
semiconductor diodes;
53.
Distributed electro-thermal model based on fast and scalable algorithm for GaN power devices and circuit simulations
机译:
基于快速可扩展算法的GaN功率器件分布式电热模型和电路仿真
作者:
Vice Sodan
;
Steve Stoffels
;
Herman Oprins
;
Martine Baelmans
;
Stefaan Decoutere
;
Ingrid De Wolf
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
gallium compounds;
III-V semiconductors;
power semiconductor devices;
semiconductor device models;
54.
Physics of current limited failures during avalanche for 600V Fast Recovery Diodes
机译:
600V快速恢复二极管在雪崩期间电流受限故障的物理性质
作者:
L. Maresca
;
M. Riccio
;
P. Mirone
;
G. Romano
;
G. Breglio
;
A. Irace
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
failure analysis;
semiconductor diodes;
55.
Power cycling methods for SiC MOSFETs
机译:
SiC MOSFET的功率循环方法
作者:
C. Herold
;
J. Sun
;
P. Seidel
;
L. Tinschert
;
J. Lutz
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
power MOSFET;
semiconductor device measurement;
silicon compounds;
temperature measurement;
thermal resistance measurement;
wide band gap semiconductors;
56.
Pressure contact multi-chip packaging of SiC Schottky diodes
机译:
SiC肖特基二极管的压力接触多芯片封装
作者:
Jose Ortiz Gonzalez
;
Olayiwola Alatise
;
Philip Mawby
;
Attahir M. Aliyu
;
Alberto Castellazzi
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
multichip modules;
Schottky diodes;
semiconductor device packaging;
semiconductor device reliability;
silicon compounds;
wide band gap semiconductors;
57.
Power electronics as the enabling technology for sustainable energy in the smart city
机译:
电力电子技术是智慧城市中可持续能源的推动技术
作者:
Johan Driesen
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
Urban areas;
Buildings;
Power electronics;
Energy efficiency;
Lighting;
Market research;
Resistance heating;
58.
Process design of superjunction MOSFETs for high drain current capability and low on-resistance
机译:
具有高漏极电流能力和低导通电阻的超结MOSFET的工艺设计
作者:
Wataru Saito
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
junction gate field effect transistors;
MOSFET;
semiconductor doping;
semiconductor junctions;
59.
A novel 80 V HS-DMOS with gradual-RESURF profile to reduce Ron_sp for high-side operation
机译:
具有渐进RESURF曲线的新型80 V HS-DMOS,可降低Ron_sp的高端操作
作者:
Tsung-Yi Huang
;
Chien-Hao Huang
;
Chih-Fang Huang
;
Jing-Meng Liu
;
Kuo-Hsuan Lo
;
Chia-Hui Cheng
;
Jheng-Yi Jiang
;
Tzung-Ying Tsai
;
Ting-Wei Liao
;
Jeng Gong
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
buried layers;
MOS integrated circuits;
60.
HBM robustness optimization of fully isolated Nch-LDMOS for negative input voltage using unique index parameter
机译:
使用唯一索引参数针对负输入电压对完全隔离的Nch-LDMOS进行HBM鲁棒性优化
作者:
Fumio Takeuchi
;
Hirofumi Nagano
;
Toshihiro Sakamoto
;
Koji Kimura
;
Fumitomo Matsuoka
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
electric fields;
MOS integrated circuits;
optimisation;
robust control;
stability;
61.
Relation between UIS withstanding capability and gate leakage currents for high voltage GaN-HEMTs
机译:
UIS承受能力与高压GaN-HEMT的栅极泄漏电流之间的关系
作者:
Toshiyuki Naka
;
Wataru Saito
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
crystal defects;
gallium compounds;
high electron mobility transistors;
III-V semiconductors;
leakage currents;
wide band gap semiconductors;
62.
Hole path concept for low switching loss and low EMI noise with high IE-effect
机译:
具有高IE效应的低开关损耗和低EMI噪声的空穴路径概念
作者:
M. Sawada
;
Y. Sakurai
;
K. Ohi
;
Y. Ikura
;
Y. Onozawa
;
T. Yamazaki
;
Y. Nabetani
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
electromagnetic interference;
insulated gate bipolar transistors;
63.
An IGBT gate driver IC with collector current sensing
机译:
具有集电极电流感测的IGBT栅极驱动器IC
作者:
J. Chen
;
W. Zhang
;
A. Shorten
;
J. Yu
;
W.T. Ng
;
M. Sasaki
;
T. Kawashima
;
H. Nishio
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
driver circuits;
electric current measurement;
insulated gate bipolar transistors;
64.
Charge storage effect in SiC trench MOSFET with a floating p-shield and its impact on dynamic performances
机译:
具有浮动p屏蔽的SiC沟槽MOSFET中的电荷存储效应及其对动态性能的影响
作者:
Jin Wei
;
Meng Zhang
;
Huaping Jiang
;
Hanxing Wang
;
Kevin J. Chen
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
Hafnium;
65.
A1W power consumption GaN-based isolated gate driver for a 1.0 MHz GaN power system
机译:
用于1.0 MHz GaN电源系统的A1W功耗,基于GaN的隔离栅驱动器
作者:
Songbek Che
;
Shuichi Nagai
;
Noboru Negoro
;
Yasufumi Kawai
;
Osamu Tabata
;
Shingo Enomoto
;
Yoshiharu Anda
;
Tsuguyasu Hatsuda
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
driver circuits;
gallium compounds;
III-V semiconductors;
power HEMT;
66.
Best-in-class LDMOS with ultra-shallow trench isolation and p-buried layer from 18V to 40V in 0.18μm BCD technology
机译:
一流的LDMOS,具有超浅沟槽隔离和采用0.18μmBCD技术的18V至40V p埋层
作者:
Feng Jin
;
Donghua Liu
;
Junjun Xing
;
Xinjie Yang
;
Jiye Yang
;
Wensheng Qian
;
Wei Yue
;
Pengfei Wang
;
Ming Qiao
;
Bo Zhang
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
BIMOS integrated circuits;
buried layers;
isolation technology;
67.
Buffer trapping-induced RON degradation in GaN-on-Si power transistors: Role of electron injection from Si substrate
机译:
硅基氮化镓功率晶体管中的缓冲剂俘获引起的RON降解:从硅衬底注入电子的作用
作者:
Shu Yang
;
Chunhua Zhou
;
Shaowen Han
;
Kuang Sheng
;
Kevin J. Chen
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
Hafnium;
68.
A 90nm bulk BiCDMOS platform technology with 15–80V LD-MOSFETs for automotive applications
机译:
用于汽车应用的具有15–80V LD-MOSFET的90nm批量BiCDMOS平台技术
作者:
Hiroki Fujii
;
Shigeo Tokumitsu
;
Takahiro Mori
;
Tomohiro Yamashita
;
Takahiro Maruyama
;
Takuya Maruyama
;
Yoshiki Maruyama
;
Shigeki Nishimoto
;
Hiroyuki Arie
;
Shunji Kubo
;
Takashi Ipposhi
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
automotive electronics;
isolation technology;
MOSFET;
thermal management (packaging);
69.
A comparative study of channel designs for SiC MOSFETs: Accumulation mode channel vs. inversion mode channel
机译:
SiC MOSFET通道设计的比较研究:累积模式通道与反向模式通道
作者:
Woongje Sung
;
Kijeong Han
;
B. Jayant Baliga
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
carrier mobility;
MOSFET;
silicon;
statistical analysis;
wide band gap semiconductors;
70.
Edge termination design of a 700-V triple RESURF LDMOS with n-type top layer
机译:
具有n型顶层的700V三重RESURF LDMOS的边缘终端设计
作者:
Ming Qiao
;
Zhengkang Wang
;
Huihui Wang
;
Feng Jin
;
Zhaoji Li
;
Bo Zhang
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
MOSFET;
semiconductor device models;
71.
Application opportunities and expectations for wide bandgap power devices in power supply
机译:
宽带隙电源设备在电源中的应用机会和期望
作者:
Zhengqing Zhao
;
Chaofeng Cai
;
Tao Wang
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
gallium compounds;
high electron mobility transistors;
III-V semiconductors;
power convertors;
power semiconductor devices;
power supply circuits;
silicon compounds;
wide band gap semiconductors;
72.
Experimental investigation of SiC 6.5kV JBS diodes safe operating area
机译:
SiC 6.5kV JBS二极管安全工作区的实验研究
作者:
A. Mihaila
;
E. Bianda
;
L. Knoll
;
U. Vemulapati
;
L. Kranz
;
G. Alfieri
;
V. Soler
;
P. Godignon
;
C. Papadopoulos
;
M. Rahimo
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
insulated gate bipolar transistors;
power semiconductor diodes;
73.
Design considerations of vertical GaN nanowire Schottky barrier diodes
机译:
垂直GaN纳米线肖特基势垒二极管的设计注意事项
作者:
Gourab Sabui
;
Vitaly Z. Zubialevich
;
Mary White
;
Pietro Pampili
;
Peter J. Parbrook
;
Mathew McLaren
;
Miryam Arredondo-Arechavala
;
Z. John Shen
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
dielectric materials;
gallium compounds;
III-V semiconductors;
nanowires;
sapphire;
Schottky diodes;
technology CAD (electronics);
wide band gap semiconductors;
74.
Challenges in reliably driving GaN devices
机译:
可靠驱动GaN器件面临的挑战
作者:
Paul L. Brohlin
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
gallium compounds;
high electron mobility transistors;
III-V semiconductors;
power factor correction;
75.
Free-carrier absorption experiments for the investigation of the physical device properties in IGBTs with hydrogen-related donors
机译:
自由载流子吸收实验,用于研究带有氢相关供体的IGBT中的物理器件性能
作者:
A. Korzenietz
;
G. Wachutka
;
F. Hille
;
C. Sandow
;
F.-J. Niedernostheide
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
Protons;
Current measurement;
Insulated gate bipolar transistors;
Absorption;
Plasmas;
Semiconductor device measurement;
Plasma measurements;
76.
GaN power IC technology: Past, present, and future
机译:
GaN功率IC技术:过去,现在和未来
作者:
Dan Kinzer
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
gallium compounds;
III-V semiconductors;
power integrated circuits;
wide band gap semiconductors;
77.
High speed digital optical signal transferforpower transistor gate driver applications
机译:
用于功率晶体管栅极驱动器的高速数字光信号传输
作者:
Davy Colin
;
Nicolas Rouger
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
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2017年
关键词:
clocks;
CMOS integrated circuits;
driver circuits;
power transistors;
signal processing equipment;
78.
High efficiency high reliability SiC MOSFET with monolithically integrated Schottky rectifier
机译:
具有单片集成肖特基整流器的高效高可靠性SiC MOSFET
作者:
Fu-Jen Hsu
;
Cheng-Tyng Yen
;
Chien-Chung Hung
;
Hsiang-Ting Hung
;
Chwan-Ying Lee
;
Lurng-Shehng Lee
;
Yao-Feng Huang
;
Tzong-Liang Chen
;
Pei-Ju Chuang
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
Silicon carbide;
Schottky diodes;
MOSFET;
Reliability;
Capacitance;
Stress;
Schottky barriers;
79.
High-voltage diode robustness during short-circuit type III
机译:
III型短路时的高压二极管坚固性
作者:
Jan Fuhrmann
;
David Hammes
;
Hans-Guenter Eckel
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
Semiconductor diodes;
Current measurement;
Cathodes;
Insulated gate bipolar transistors;
Voltage measurement;
Semiconductor device measurement;
Anodes;
80.
High/low-side hybrid output transistor with high thermal-SOA
机译:
具有高热量SPA的高端/低端混合输出晶体管
作者:
Shinichiro Wada
;
Katsumi Ikegaya
;
Takayuki Oshima
;
Yoichiro Kobayashi
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
clamps;
copper;
driver circuits;
power MOSFET;
semiconductor device models;
solenoids;
thermal analysis;
thermal diffusion;
81.
Highly reliable GaN MOS-HFET with high short-circuit capability
机译:
具有高短路能力的高度可靠的GaN MOS-HFET
作者:
Youngshin Eum
;
Kazuhiro Oyama
;
Nobuyuki Otake
;
Shinichi Hoshi
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
gallium compounds;
high electron mobility transistors;
III-V semiconductors;
junction gate field effect transistors;
wide band gap semiconductors;
82.
Highly rugged 1200 V 80 mQ 4-H SiC power MOSFET
机译:
坚固耐用的1200 V 80 mQ 4-H SiC功率MOSFET
作者:
In-Hwan Ji
;
Amaury Gendron-Hansen
;
Mingyu Lee
;
Ed Maxwell
;
Bruce Odekirk
;
Dumitru Sdrulla
;
Changsoo Hong
;
Avinash S. Kashyap
;
Faheem Faheem
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
electric fields;
impact ionisation;
power MOSFET;
silicon compounds;
technology CAD (electronics);
83.
A novel contact field plate application in drain-extended-MOSFET transistors
机译:
新型接触场极板在漏极扩展MOSFET晶体管中的应用
作者:
Lin Wei
;
Cheng Chao
;
Upinder Singh
;
Ruchil Jain
;
Li Leng Goh
;
Purakh Raj Verma
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
electric breakdown;
hot carriers;
MOSFET;
84.
Design and fabrication of 3.3kV SiC MOSFETs for industrial applications
机译:
用于工业应用的3.3kV SiC MOSFET的设计与制造
作者:
Xing Rusag
;
Leonid Vursin
;
Anup Bhalla
;
William Simon
;
J. Chris Dries
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
design of experiments;
power MOSFET;
power semiconductor switches;
silicon compounds;
traction;
85.
Influence of gate bias on the avalanche ruggedness of SiC power MOSFETs
机译:
栅极偏置对SiC功率MOSFET雪崩强度的影响
作者:
A. Fayyaz
;
A. Castellazzi
;
G. Romano
;
M. Riccio
;
A. Irace
;
J. Urresti
;
N. Wright
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
avalanche breakdown;
power MOSFET;
silicon compounds;
snubbers;
wide band gap semiconductors;
86.
Investigations of inhomogeneous reverse recovery behavior of the body diode in superjunction MOSFET
机译:
超结MOSFET中体二极管的非均匀反向恢复行为研究。
作者:
Zhuo Yang
;
Jing Zhu
;
Xin Tong
;
Weifeng Sun
;
Fangjuan Bian
;
Ye Tian
;
Yuanzheng Zhu
;
Peng Ye
;
Zongqing Li
;
Bo Hou
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
avalanche breakdown;
bridge circuits;
invertors;
power MOSFET;
power semiconductor diodes;
semiconductor device breakdown;
semiconductor device models;
87.
Investigation of a latch-up immune silicon controlled rectifier for robust ESD application
机译:
用于稳健ESD应用的闩锁免疫硅可控整流器的研究
作者:
Zhao Qi
;
Ming Qiao
;
Xin Zhou
;
Wen Yang
;
Dong Fang
;
Shikang Cheng
;
Sen Zhang
;
Zhaoji Li
;
Bo Zhang
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
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2017年
关键词:
current distribution;
electrostatic discharge;
thyristors;
88.
Kilovolt GaN MOSHEMT on silicon substrate with breakdown electric field close to the theoretical limit
机译:
击穿电场接近理论极限的硅衬底上的千伏GaN MOSHEMT
作者:
Ming Tao
;
Maojun Wang
;
Cheng P. Wen
;
Jinyan Wang
;
Yilong Hao
;
Wengang Wu
;
Kai Cheng
;
Bo Shen
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
Field-flow fractionation;
89.
A high-performance GaN E-mode reverse blocking MISHEMT with MIS field effect drain for bidirectional switch
机译:
具有双向开关的MIS场效应漏极的高性能GaN E模式反向阻断MISHEMT
作者:
Yijun Shi
;
Wanjun Chen
;
Chao Liu
;
Guanhao Hu
;
Jie Liu
;
Xingtao Cui
;
Hong Tao
;
Jinhan Zhang
;
Yuanyuan Shi
;
Anhang Zhang
;
Zhaoji Li
;
Qi Zhou
;
Bo Zhang
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
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2017年
关键词:
field effect transistor switches;
gallium compounds;
III-V semiconductors;
MIS devices;
wide band gap semiconductors;
90.
A new characterization technique for extracting parasitic inductances of fast switching power MOSFETs using two-port vector network analyzer
机译:
利用两端口矢量网络分析仪提取快速开关功率MOSFET寄生电感的新表征技术
作者:
Tianjiao Liu
;
Runtao Ning
;
Thomas T. Y. Wong
;
Z. John Shen
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
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2017年
关键词:
Erbium;
91.
A new ESD self-protection structure for 700V high side gate drive IC
机译:
用于700V高端栅极驱动IC的新型ESD自保护结构
作者:
Sunglyong Kim
;
David LaFonteese
;
Danyang Zhu
;
Danyang Seetharaman Sridhar
;
Sameer Pendharkar
;
Hiromi Endoh
;
Katsushi Boku
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
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2017年
关键词:
driver circuits;
electrostatic discharge;
MOSFET;
92.
A new sub-micron trench cell concept in ultrathin wafer technology for next generation 1200 V IGBTs
机译:
适用于下一代1200 V IGBT的超薄晶圆技术中的新亚微米沟槽单元概念
作者:
Christian Jaeger
;
Alexander Philippou
;
Antonio Ve Ilei
;
Johannes G. Laven
;
Andreas Härtl
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
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2017年
关键词:
insulated gate bipolar transistors;
isolation technology;
power semiconductor devices;
93.
A novel 700V deep trench isolated double RESURF LDMOS with P-sink layer
机译:
具有P阱层的新型700V深沟槽隔离式双RESURF LDMOS
作者:
Shikang Cheng
;
Dong Fang
;
Ming Qiao
;
Sen Zhang
;
Guangsheng Zhang
;
Yan Gu
;
Yitao He
;
Xin Zhou
;
Zhao Qi
;
Zhaoji Li
;
Bo Zhang
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
isolation technology;
MOSFET;
94.
A novel hybrid power module with dual side-gate HiGT and SiC-SBD
机译:
具有双侧栅极HiGT和SiC-SBD的新型混合动力模块
作者:
Y. Takeuchi
;
T. Miyoshi
;
T. Furukawa
;
M. Shiraishi
;
M. Mori
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
insulated gate bipolar transistors;
power bipolar transistors;
power semiconductor diodes;
Schottky barriers;
Schottky diodes;
silicon compounds;
wide band gap semiconductors;
95.
A snapback-free RC-IGBT with Alternating N/P buffers
机译:
具有交替N / P缓冲器的无反冲RC-IGBT
作者:
Gaoqiang Deng
;
Xiaorong Luo
;
Kun Zhou
;
Qingyuan He
;
Xinliang Ruan
;
Qing Liu
;
Tao Sun
;
Bo Zhang
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
Silicon;
96.
Short circuit capability and high temperature channel mobility of SiC MOSFETs
机译:
SiC MOSFET的短路能力和高温通道迁移率
作者:
Jiahui Sun
;
Hongyi Xu
;
Xinke Wu
;
Shu Yang
;
Qing Guo
;
Kuang Sheng
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
finite element analysis;
insulated gate bipolar transistors;
MOSFET;
short-circuit currents;
silicon;
silicon compounds;
97.
Novel superjunction LDMOS with multi-floating buried layers
机译:
具有多层浮置埋层的新型超结LDMOS
作者:
Zhen Cao
;
Baoxing Duan
;
Song Yuan
;
Haijun Guo
;
Jianmei Lv
;
Tongtong Shi
;
Yintang Yang
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
Substrates;
Junctions;
MOSFET;
Silicon on sapphire;
98.
Suppression of charge accumulation on termination area of 4H-SiC power devices
机译:
抑制4H-SiC功率器件终端区域上的电荷积累
作者:
Hiroyuki Matsushima
;
Renichi Yamada
;
Akio Shima
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
Zirconium;
99.
Trench schottky rectifiers with non-uniform trench depths
机译:
沟槽深度不均匀的沟槽肖特基整流器
作者:
Mihir Mudholkar
;
Mohammed Tanvir Quddus
;
Yohai Kalderon
;
Mike Thomason
;
Ali Salih
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
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2017年
关键词:
Doping;
Metals;
Logic gates;
Wireless communication;
Anodes;
Cathodes;
Performance evaluation;
100.
Pulse robustness of AlGaN/GaN HEMTs with Schottky- and MIS-gates
机译:
具有肖特基和MIS栅极的AlGaN / GaN HEMT的脉冲鲁棒性
作者:
Christian Unger
;
Manuela Mocanu
;
Martin Pfost
;
Patrick Waltereit
;
Richard Reiner
会议名称:
《2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's》
|
2017年
关键词:
Temperature measurement;
Logic gates;
Current measurement;
Leakage currents;
Transient analysis;
Pulse measurements;
Temperature;
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