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首页> 外文会议>2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's >Design of self-aligned 3.3-kV DMOSFET using tilted ion implantation
【24h】

Design of self-aligned 3.3-kV DMOSFET using tilted ion implantation

机译：采用倾斜离子注入的自对准3.3kV DMOSFET的设计

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In this paper, a simple self-aligned process for defining short channels in 3.3-kV SiC DMOSFETs is presented and designed using a TCAD simulation. The proposed process involves channel definition by Al ion implantation at a tilted angle through the source mask and eliminates the complicated hard mask etching process. The simulation results show that implantation of 1× 10 /cm and 450 keV at a 30° tilt angle forms a self-aligned channel with a length of 0.65 μm and a sufficient blocking voltage. Assuming a mask alignment error, fluctuation of threshold voltages in a self-aligned device is estimated to be reduced to about one-third of that in a conventional device.
机译：在本文中，提出了一种简单的自对准工艺，用于定义3.3kV SiC DMOSFET的短沟道，并使用TCAD仿真进行了设计。所提出的工艺涉及通过倾斜穿过源极掩模的Al离子注入来定义沟道，并消除了复杂的硬掩模蚀刻工艺。仿真结果表明，以30°倾斜角注入1×10 / cm和450 keV，可形成长度为0.65μm的自对准沟道，并具有足够的阻断电压。假设掩模对准误差，则估计自对准器件中的阈值电压的波动被减小到传统器件中的阈值电压的约三分之一。

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