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首页> 外文会议>International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s >Design of self-aligned 3.3-kV DMOSFET using tilted ion implantation
【24h】

Design of self-aligned 3.3-kV DMOSFET using tilted ion implantation

机译：使用倾斜离子植入自对准3.3 kV DMOSFET的设计

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In this paper, a simple self-aligned process for defining short channels in 3.3-kV SiC DMOSFETs is presented and designed using a TCAD simulation. The proposed process involves channel definition by Al ion implantation at a tilted angle through the source mask and eliminates the complicated hard mask etching process. The simulation results show that implantation of 1× 10 /cm and 450 keV at a 30° tilt angle forms a self-aligned channel with a length of 0.65 μm and a sufficient blocking voltage. Assuming a mask alignment error, fluctuation of threshold voltages in a self-aligned device is estimated to be reduced to about one-third of that in a conventional device.
机译：在本文中，使用TCAD仿真提出和设计了一种简单的自对准方法，用于在3.3 kV SiC DMOSFET中定义短通道。所提出的方法涉及通过源掩模以倾斜角度的倾斜角度的通道定义，并消除了复杂的硬掩模蚀刻工艺。仿真结果表明，在30°倾斜角度下植入1×10 / cm和450keV，形成具有0.65μm的自对准通道和足够的阻挡电压。假设掩模对准误差误差，估计自对准装置中的阈值电压的波动被估计为传统设备中的大约三分之一。

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