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GaN HEMT器件小信号模型参数的灵敏度分析

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本文推导了GaN HEMT小信号等效电路模型中本征参数对测量S参数的灵敏度表达式.并对栅宽为2×100μm、栅长为0.25-μm的GaN高电子迁移率晶体管进行了小信号建模和灵敏度分析.同时,利用ADS仿真工具对模型进行了仿真验证,模拟结果表明,在500MHz～40GHz频率范围内和在片S参数测试结果吻合很好.

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来源
《2015年全国微波毫米波会议》|2015年|1262-1265|共4页
会议地点合肥
作者
Danting Luo; 骆丹婷; Jianjun Gao; 高建军;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类晶体管电路;
关键词
氮化镓高电子迁移率晶体管; 等效电路; 小信号建模; 灵敏度;

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