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首页> 外文会议>1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China >LOW TEMPERATURE GROWTH OF HIGH QUALITY SiO_2 AT LESS THAN 100℃ BY ECR-PECVD FOR THIN FILM TRANSISTORS
【24h】

LOW TEMPERATURE GROWTH OF HIGH QUALITY SiO_2 AT LESS THAN 100℃ BY ECR-PECVD FOR THIN FILM TRANSISTORS

机译：薄膜晶体管的ECR-PECVD在100℃以下高质量SiO_2的低温生长

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Polysilicon is required for the next generation of active matrix liquid crystal display (AMLCD) technology, which integrates driver circuitry onto the same low cost substrate as the display itself. This requires thin, low temperature, high quality SiO_2 dielectrics. rf-plasma enhanced chemical vapor deposition (rf-PECVD) oxides incorporate considerable hydrogen, which cause instabilities. In Electron Cyclotron Resonance (ECR)-PECVD, a highly ionised plasma (～10~(16) m~(-3)) with low ion energies (～10eV) gives more efficient dehydrogenation, while not creating extra defects. O_2 and He are injected upstream of the resonance zone to react chemically with the SiH_4 which is injected further downstream. High quality material has been deposited at 80℃ with a refractive index of 1.46, an etch rate in buffered HF below 2.5 nm/s and a hydrogen content of less than 2 at.%. Electrical tests reveal a resistivity of >10~(14) Ωcm, an average breakdown strength of 5 MVcm~(-1), and fixed charge and interface state densities of 10~(11) cm~(-2) and 10~(12) eV~(-1)cm~(-2) respectively. This has been achieved using a O_2:SiH_4 ratio > 2:1.
机译：下一代有源矩阵液晶显示器（AMLCD）技术需要多晶硅，该技术将驱动器电路集成到与显示器本身相同的低成本基板上。这需要薄，低温，高质量的SiO_2电介质。射频等离子体增强化学气相沉积（rf-PECVD）氧化物会混入大量氢，这会导致不稳定。在电子回旋共振（ECR）-PECVD中，具有低离子能（〜10eV）的高电离等离子体（〜10〜（16）m〜（-3））可以更有效地进行脱氢，而不会产生额外的缺陷。 O_2和He被注入到共振区的上游，与SiH_4发生化学反应，而SiH_4被注入到下游。高质量的材料已在80℃下沉积，折射率为1.46，在缓冲HF中的蚀刻速率低于2.5 nm / s，氢含量低于2 at。％。电学测试显示电阻率> 10〜（14）Ωcm，平均击穿强度为5 MVcm〜（-1），固定电荷和界面态密度分别为10〜（11）cm〜（-2）和10〜（ 12）eV〜（-1）cm〜（-2）。这是通过使用O_2：SiH_4比率> 2：1实现的。

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