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1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China
1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China
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1.
DOPANT EFFECTS ON TaO_x-BASED HIGH K DIELECTRIC FILMS
机译:
基于TaO_x的高K介电薄膜的掺杂效应
作者:
Yue Kuo
;
J.-Y. Tewg
;
J. Donnelly
;
J. Lu
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
2.
Comparison of Tungsten Bit Line Mask Scheme for the Next Generation 4Giga DRAM
机译:
下一代4Giga DRAM钨位线掩膜方案的比较
作者:
J. Hong
;
J. S. Jeon
;
J. D. Choi
;
G. J. Min
;
K.K. Chi
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
3.
ANGULAR INTEGRITY CHALLENGE FOR ION IMPLANTATION PROCESSES IN ADVANCED CMOS DEVICES
机译:
先进CMOS设备中离子注入过程的角度完整性挑战
作者:
Jian-Yue Jin
;
Ukyo Jeong
;
John Weeman
;
Sandeep Mehta
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
4.
Analytic Description of Sidewall Thickness Effects in THE Self-Aligned Double Gates MOSFET
机译:
自对准双栅MOSFET侧壁厚度效应的解析描述
作者:
Yin Huaxiang
;
Xu Qiuxia
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
5.
EFFECT OF THERMAL ANNEAL ON THE ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF Ni/4H-SiC SBD
机译:
热退火对Ni / 4H-SiC SBD电学特性的影响
作者:
Yuming Zhang
;
Yimen Zhang
;
J. H. Zhao
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
6.
Layer-by-layer Oxidation of Silicon
机译:
硅的逐层氧化
作者:
Takeo Hattori
;
Kensuke Takahashi
;
Hiroshi Nohira
;
Tadahiro Ohmi
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
7.
The Simulation and Analysis of the SVX Technique for High-Voltage Devices
机译:
高压设备SVX技术的仿真与分析
作者:
Feihong Huang
;
Rui Wu
;
Guoxiang Zheng
;
Xiangfu Zong
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
8.
THE OXYGEN DIFFUSION IN NEUTRON IRRADIATED CZOCHRALSKI SILICON
机译:
中子辐照的直晶硅中的氧扩散
作者:
Y.X.Li
;
P.J.Niu
;
C.C.Liu
;
Y.S.Xu
;
X.Wang
;
Y.X.Yu
;
B.Y.Ren
;
D.R.Yang
;
D.L.Que
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
9.
TEMPORAL RESPONSE MODELING AND ANALYSIS OF HETEROBARRIER METAL-SEMICONDUCTOR-METAL PHOTODETECTOR
机译:
异质金属-半导电金属-光电探测器的时间响应建模与分析
作者:
S.V.Averine
;
Y.C.Chan
;
Y.L.Lam
;
O. Bondarenko
;
R.Sachot
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
10.
THE CHARACTERISTICS OF METAL GATE MOS WITH IMPROVED SPUTTERING PROCESS FOR GATE ELECTRODE
机译:
改进的栅电极溅射工艺的金属栅MOS特性
作者:
Ruizhao Li
;
Qiuxia Xu
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
11.
THE ELETRICAL CHARACTERISTICS OF W/WN_x/POLY SI_(1-x)GE_x AND THE MOSCAP STRUCTURES WITH W/WN_x/POLY SI_(1-x)GE_x GATES STACK
机译:
W / WN_x / POLY SI_(1-x)GE_x的电子特性和W / WN_x / POLY SI_(1-x)GE_x闸门堆栈的MOSCAP结构
作者:
S. -K. Kang
;
J. J. Kim
;
H. B. Kang
;
C. W. Yang
;
T. H. Ahn
;
I. S. Yeo
;
T. W. Lee
;
Y. H. Lee
;
D. -H. Ko
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
12.
Suppression of Borderless Contact Leakage by Improved Structures for Sub-0.12μ CMOS Device
机译:
小于0.12μCMOS器件的改进结构抑制了无边界接触泄漏
作者:
D.H.Kim
;
B J.Hwang
;
J.H.Kim
;
S.B.Kim
;
J.I.Hong
;
J.W.Park
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
13.
STUDY ON GROWN-IN DEFECTS IN LARGE-DIAMETER CZ-SI
机译:
大直径CZ-SI长大缺陷的研究
作者:
QIUYAN HAO
;
CAICHI LIU
;
YANGXIAN LI
;
BINYAN REN
;
HAIYUN WANG
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
14.
TCAD AND ITS APPLICATION IN 0.25um CMOS PROCESS AND INTEGRATION
机译:
TCAD及其在0.25um CMOS工艺与集成中的应用
作者:
Jeffrey Tung
;
Sheldon Aronowitz
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
15.
TECHNOLOGY TREND OF FLASH MEMORY
机译:
闪存的技术趋势
作者:
Fujio Masuoka
;
Tetsuo Endoh
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
16.
SEMICONDUCTOR ANALYSIS AND THE 21st CENTURY FAB
机译:
半导体分析和21世纪FAB
作者:
C. Dziobkowski
;
J. Bruley
;
J. Coffin
;
D. Falcon
;
P. Flaitz
;
N. Klymko
;
J. McMurray
;
P. Ronsheim
;
H. Wildman
;
M. Zaitz
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
17.
ROLE OF HOT HOLES IN THE ISOTOPE EFFECT AND MECHANISMS FOR MOS TRANSISTORS
机译:
热孔在MOS晶体管的同位素效应和机理中的作用
作者:
Zhi Chen
;
Pradeep Garg
;
Vijay Singh
;
Sundar Chetlur
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
18.
FORMATION Of SILICON-ON-INSULATOR AND ITS APPLICATIONS
机译:
绝缘硅的形成及其应用
作者:
G. K. Celler
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
19.
RAPID THERMAL ANNEALING INDUCED BORON PENETRATION IN MOS TRANSISTORS
机译:
快速热退火诱导MOS晶体管中的硼渗透
作者:
Jun Qian
;
Yeow Meng Teo
;
Kelvin Low
;
Rajan Rajgopal
;
Chang Fu
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
20.
REAL-TIME OBSERVATION OF SURFACE STRESS DURING INITIAL OZONE-OXIDATION OF Si(100)
机译:
Si(100)初始臭氧氧化过程中表面应力的实时观察
作者:
Akira Kurokawa
;
Shingo Ichimura
;
Tetsuya Narushima
;
Akiko N. Itakura
;
Masahiro Kitajima
;
Takaya Kawabe
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
21.
PHYSICAL MODEL FOR VOLTAGE DEPENDENT DIFFUSION RESISTOR
机译:
电压相关扩散电阻的物理模型
作者:
Jack G. Qian
;
Tanmay Kumar
;
Kevin Eshbaugh
;
Roy A. Hensley
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
22.
PHOTOINDUCED CHARGE GENERATION AND ULTRAFAST RESPONSE IN NANOCOMPOSITE Si/SiO_2 THIN FILMS
机译:
纳米复合Si / SiO_2薄膜的光诱导电荷产生和超快响应
作者:
H. Liu
;
A. Mahfoud
;
V. Vikhnin
;
S. Avaneseyn
;
W. Jia
;
G. A. Nery
;
O. Resto
;
Luis F. Fonseca
;
Zvi S. Weisz
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
23.
PERFORMANCE OF NARROW ALUMINIUM LINES WITHOUT TiN BARRIER LAYERS
机译:
无TiN阻挡层的窄铝线的性能
作者:
X. J. Ning
;
H. Kitahara
;
E. W. Kiewra
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
24.
A Novel Substrate P-N Junction Isolation for RF Integrated Inductors on Silicon
机译:
用于硅上RF集成电感器的新型衬底P-N结隔离
作者:
Liu chang
;
Chen Xueliang
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
25.
A STUDY ON (CO_(1-x)NI-xSI_2) SCHOTTKY CONTACTS ON N-SI(100) SUBSTRATES
机译:
N-SI(100)基片上(CO_(1-x)NI-xSI_2)肖特基接触的研究
作者:
Xin-Ping Qu
;
C. Detavernier
;
R. L. Van Meirhaeghe
;
F. Cardon
;
A. Lauwers
;
K. Maex
;
Bing-Zong Li
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
26.
ACCEPTANCE SAMPLING SCHEMES FOR CAT1 CHIP EFR INSPECTION
机译:
CAT1芯片EFR检查的验收抽样方案
作者:
Eugene Wang
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
27.
N TYPE DOPANT ACTIVATION BEHAVIORS OF POLY SI_(1-x)GF_x WITH GE CONTENTS AND ACTIVATION TEMPERATURE
机译:
具有GE含量和活化温度的POLY_SI_(1-x)GF_x的N型掺杂行为
作者:
S. -K. Kang
;
J. J. Kim
;
H. B. Kang
;
C. W. Yang
;
T. H. Ahn
;
I. S. Yeo
;
T. W. Lee
;
Y. H. Lee
;
D. -H. Ko
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
28.
INTEGRATION OF A CMOS PREAMPLIFIER WITH A PZT RESONANT FREQUENCY MICROSENSOR
机译:
集成了带有PZT谐振频率传感器的CMOS前置放大器
作者:
Kyeonglan Rho
;
Shayne Zurn
;
David Markus
;
Dennis Polla
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
29.
INTEGRATED METROLOGY
机译:
综合计量
作者:
Suresh Lakkapragada
;
Ady Levy
;
Umar Whitney
;
Gloria Johnson
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
30.
INFLUENCE OF DOPANTS ON OXYGEN PRECIPITATION IN HEAVILY DOPED CZSI
机译:
掺杂对重掺杂CZSI中氧析出的影响
作者:
CAICHI LIU
;
QIUYAN HAO
;
HAIYUN WANG
;
YANGXIAN LI
;
YUESHENG XU
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
31.
INFLUENCE OF WAFER LOADING ATMOSPHERE UPON CHEMICAL STRUCTURE OF SUB-5NM OXIDE FILMS
机译:
晶圆负载气氛对5NM以下氧化膜的化学结构的影响
作者:
T. Endoh
;
Y. Kimura
;
M. Lenski
;
H. Sakuraba
;
F. Masuoka
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
32.
LESSONS LEARNED THROUGH PRODUCTION APPLICATION OF ADVANCED PROCESS CONTROL (APC)
机译:
经验教训,通过先进的过程控制(APC)在生产中的应用
作者:
Nathan Atkins
;
Alan Weber
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
33.
High Performance 70 nm CMOS Device Fabrication
机译:
高性能70 nm CMOS器件制造
作者:
Qiu-xia Xu
;
He Qian
;
Hua-xiang Yin
;
Lin Jia
;
Hong-hao Ji
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
34.
EVALUATION OF ONO FILM DEPOSITED BY SILANE BASE SINGLE WAFER PROCESS
机译:
硅烷基单晶片工艺沉积的ONO膜的评价
作者:
Wei Wen Chen
;
Tzung Ting Han
;
June Min Yao
;
Yun Chi Yang
;
Yaw Lin Hwang
;
Cheng Chen Hsueh
;
Henry Chung
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
35.
ELECTROMIGRATION in ON-CHIP SINGLE/DUAL DAMASCENE Cu INTERCONNECTIONS
机译:
片上单/双DAMASCENE Cu互连中的电化
作者:
C.-K Hu
;
L. Gignac
;
E. Liniger
;
R. Rosenberg
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
36.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF THERMALY STABLE ZrO_xN_y by NH_3 ANNEALING OF ZrO_2
机译:
ZrO_2的NH_3退火使热稳定ZrO_xN_y的电特性
作者:
Sanghun Jeon
;
Chel-Jong Choi
;
Tae-Yeon Seong
;
Hyunsang Hwang
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
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2001年
37.
EFFECT OF MOCVD PROCESS ON TEXTURE AND DIELECTRICAL PROPERTIES OF (BA, SR)TIO_3 THIN FILMS
机译:
MOCVD工艺对(BA,SR)TIO_3薄膜的织构和介电性能的影响
作者:
J. Lian
;
R. Laibowitz
;
K. Seanger
;
T. Shaw
;
S. Athvale
;
E. Cottrell
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
38.
FN-STRESS-INDUCED EXCESSIVE PRE-TUNNELING CURRENT IN THIN SiO_2 FILMS
机译:
FN应力引起的薄SiO_2薄膜过隧穿电流
作者:
Chang Q. Sun
;
T. P. Chen
;
Y. L. Luo
;
S. Fung
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
39.
ULTRA-SHALLOW JUNCTION FORMATION BY LASER-INDUCED ATOMIC LAYER DOPING
机译:
激光诱导原子层掺杂形成超浅结
作者:
Mitsumasa Koyanagi
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
40.
THEORY OF SI OXIDE GROWTH RATE TAKING ACCOUNT OF INTERFACIAL SI EMISSION
机译:
考虑界面SI排放的SI氧化物生长速率理论
作者:
H. Kageshima
;
K. Shiraishi
;
M. Uematsu
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
41.
YIELD IMPLICATIONS OF OVERLAY AND CD SAMPLING PLANS
机译:
叠加和CD采样计划的收益含义
作者:
Xuemei Chen
;
Moshe E Preil
;
Raman Nurani
;
Sung Jin Lee
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
42.
Surface and Interface Structures of Ultrathin Silicon Oxynitride Films
机译:
超薄氧氮化硅薄膜的表面和界面结构
作者:
K. Takahashi
;
K. Inoue
;
H. Kato
;
N. Tamura
;
K. Hikazutani
;
S. Sano
;
T. Hattori
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
43.
TEM ANALYSIS OF THE SILICON DEFECT
机译:
硅缺陷的TEM分析
作者:
Feng Xie
;
Yi Chen
;
Guowei He
;
Gang Hu
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
44.
TaO_xN_y GATE DIELECTRIC FOR ULSI MOS DEVICE APPLICATIONS
机译:
适用于ULSI MOS器件应用的TaO_xN_y栅极电介质
作者:
Hyungsuk Jung
;
Kiju Im
;
Sanghun Jeon
;
Dooyoung Yang
;
Hyunsang Hwang
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
45.
SWICHING OF BREAKDOWN CONDUCTION IN ULTRA-THIN GATE OXIDE
机译:
超薄栅极氧化物中的击穿传导开关
作者:
T. P. Chen
;
M. S. Tse
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
46.
SIMULTANEOUS CYCLE-TIME REDUCTION AND OUTPUT ENHANCEMENT IN A FULLY LOADED FOUNDRY WAFER FAB
机译:
完全装载的晶圆晶圆FAB同时进行周期减少和输出增强
作者:
C. M. Ho
;
T. C. Chen
;
P. Hseih
;
C. Chu
;
E. Houn
;
K. J. Su
;
P. M. Wang
;
W. C. Yew
;
S. W. Sun
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
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2001年
47.
STRUCTURE OPTIMIZATION OF METAL-SEMICONDUCTOR-METAL ULTRA-VIOLET DETECTOR ON ALUMINUM GALLIUM NITRIDE
机译:
氮化铝镓上金属-半金属-金属紫外检测器的结构优化
作者:
Wenhua Gu
;
Soo Jin Chua
;
Xin Hai Zhang
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
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2001年
48.
ROLE OF DAMASCENE VIA FILLING ADDITIVES - II.VIA BOTTOM ACCELERATION
机译:
DAMASCENE通过填充添加剂的作用-II。VIA底部加速
作者:
K.Kondo
;
N.Yamakawa
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
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2001年
49.
RECENT ADVANCES IN SOS MATERIALS AND DEVICES
机译:
SOS材料和设备的最新进展
作者:
T. Morishita
;
Y. Moriyasu
;
M. Matsui
;
A. Yasujima
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
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2001年
50.
POLYCRYSTALLINE SILICON ON GLASS BY FIELD ENHANCED CRYSTALLIZTION OF AMORPHOUS SILICON
机译:
非晶硅的场增强晶化作用在玻璃上的多晶硅
作者:
Jin Jang
;
Kyu Sik Cho
;
Kyung Ho Kim
;
Seong Jin Park
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
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2001年
51.
POSSIBLE FUNCTIONAL DEVICES BASED ON NANOCRYSTALLINE SILICON
机译:
基于纳米硅的可能的功能器件
作者:
N. Koshida
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
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2001年
52.
PREPARATION AND PROPERTIES OF SOL-GEL DERIVED Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3 THIN FILMS FOR DRAMS
机译:
溶胶-凝胶法制备的Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3薄膜的制备及性能
作者:
Y. YE
;
A.L. DING
;
X.G. TANG
;
W.G. LUO
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
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2001年
53.
A NEW EXPLANATION FOR BSIT's SATURATION CHARACTERISTIC
机译:
BSIT的饱和特性的新解释
作者:
Yanfeng Jiang
;
Qingan Huang
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
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2001年
54.
A STUDY OF ULTRA-HIGH RAMP RATE THERMAL ANNEALING
机译:
超高升温速率热退火的研究
作者:
Hong-Jyh Li
;
Taras A. Kirichenko
;
Swaroop Ganguly
;
Puneet Kohli
;
Steve McCoy
;
Kiefer Elliott
;
David Sing
;
Kenneth Torres
;
Peter Zeitzoff
;
Sanjay Banerjee
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
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2001年
55.
OHMIC CONDUCTIVITY AND ACTIVATION ENERGY OF Pb_(1+Y)(Zr_(0.3)Ti_(0.7))O_3 THIN FILMS
机译:
Pb_(1 + Y)(Zr_(0.3)Ti_(0.7))O_3薄膜的热导率和活化能
作者:
D. P. Chu
;
B. M. McGregor
;
P. Migliorato
;
C. Durkan
;
M. E. Welland
;
K. Hasegawa
;
T. Shimoda
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
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2001年
56.
ADVANCES IN THE UNDERSTSANDING OF THE PHYSICS AND CHEMISTRY ASSOCIATED WITH TIME-DEPENDENT DIELECTRIC BREAKDOWN IN SIO_2 DIELECTRICS
机译:
SIO_2介电体中与时间相关的电击穿相关的物理和化学的进展
作者:
J. W. McPherson
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
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2001年
57.
OPTIMIZATION OF SPUTTERED ZrO_2 THIN FILMS FOR ALTERNATIVE GATE DIELECTRIC
机译:
交替栅介质溅射ZrO_2薄膜的优化。
作者:
Seok-Woo Nam
;
Jung-Ho Yoo
;
Dae-Hong Ko
;
Ja-Hum Ku
;
Siyoung Choi
;
Cheol-Woong Yang
会议名称:
《》
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2001年
58.
MODELLING OF IGBTs WITH LOCAL LIFETIME CONTROL
机译:
具有局部寿命控制的IGBT建模
作者:
X. Yuan
;
F. Udrea
;
L. Coulbeck
;
P. R. Waind
;
G. A J. Amaratunga
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
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2001年
59.
MATERIAL ANALYSIS ON FET DEGRADATION PHENOMENA CAUSED BY HOT CARRIER IN 0.35m WSi GATE GaAs HIGFETS
机译:
0.35m WSi Gate GaAs HIGFET中热载流子引起的FET降解现象的材料分析
作者:
Katsushi Ohshika
;
Tomoko Yamashita
;
Munetoshi Fukui
;
Hiroshi Yanazawa
;
Shinichiro Takatanni
;
Hidetoshi Matsumoto
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
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2001年
60.
LOW TEMPERATURE GROWTH OF HIGH QUALITY SiO_2 AT LESS THAN 100℃ BY ECR-PECVD FOR THIN FILM TRANSISTORS
机译:
薄膜晶体管的ECR-PECVD在100℃以下高质量SiO_2的低温生长
作者:
Riyaz Rashid
;
A. J. Flewitt
;
John Robertson
;
W. I. Milne
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
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2001年
61.
INTEGRATION OF CU AND LOW-K MATERIAL FOR DUAL-DAMASCENE PROCESS
机译:
铜和低介电常数材料的集成
作者:
S.M. Jang
;
S.M. Jeng
;
W. Chang
;
L.J. Li
;
C.C. Lin
;
C.H. Yu
;
M.S. Liang
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
62.
INITIAL OXIDATION PROCESS OF Si(001) SIMULATED BY USING A PARALLEL PC SYSTEM
机译:
并行PC系统模拟Si(001)的初始氧化过程
作者:
T. Watanabe
;
K. Tatsumura
;
A. Kajimoto
;
K. Ogura
;
Y. Inaba
;
I. Ohdomari
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
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2001年
63.
LARGE-CAPACITY, HIGH-PURITY OZONE GENERATOR FOR APPLICATION TO SEMICONDUCTOR DEVICE PROCESSES
机译:
大容量,高纯度臭氧发生器,用于半导体器件工艺
作者:
Tetsuya Nishiguchi
;
Yoshiki Morikawa
;
Mitsuru Kekura
;
Masaharu Miyamoto
;
Hidehiko Nonaka
;
Shingo Ichimura
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
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2001年
64.
HIGH-K GATE DIELECTRIC DEPOSITION BY ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE SPUTTERING
机译:
电子回旋共振溅射高K栅介电沉积
作者:
Kunio Saito
;
Yoshito Jin
;
Takao Amazawa
;
Toshiro Ono
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
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2001年
65.
HIGH INTEGRITY DIRECT OXIDATION/NITRIDATION AT LOW TEMPERATURE USING RADICALS
机译:
自由基在低温下的高完整性直接氧化/氮化
作者:
Tadahiro Ohmi
;
Shigetoshi Sugawa
;
Masaki Hirayama
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
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2001年
66.
HISTORICAL PERSPECTIVE ON YIELD ENHANCEMENT AND IN-LINE DEFECT REDUCTION
机译:
屈服增强和在线缺陷减少的历史视角
作者:
Richard L Guldi
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
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2001年
67.
IMPACT OF RADIATION INDUCED TRAPPED CHARGE ON N-CHANNEL DEPLETION MOSFETs
机译:
辐射诱捕电荷对N沟道耗尽MOSFET的影响
作者:
A.P. Gnana Prakash
;
K.C. Prashanth
;
Y.N. Nagesha
;
D. Umakanth
;
K. Siddappa
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
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2001年
68.
FORMATION AND INHIBITION MECHANISM OF DEFECTS IN THE SURFACE RANGE OF SILICON WAFER
机译:
硅晶片表面范围内缺陷的形成和抑制机理
作者:
Y.X.Li
;
C.C.Liu
;
Y.S.Xu
;
X.Wang
;
Y.X.Yu
;
Q.Y.Hao
;
B.Y.Ren
;
D.R.Yang
;
D.L.Que
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
69.
GATE OXIDE INTEGRITY OF SiGe P-MOSFET WITH HIGH
机译:
高SiGe P-MOSFET的栅氧化完整性
作者:
CURRENT DRIVE
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
70.
GATE DIELECTRIC THICKNESS CONTROL FOR HIGH-K AND CONVENTIONAL GATE STACKS IN THE PRESENCE OF CHEMICAL OXIDES FROM PRE-GATE CLEAN PROCESSES FOR SUB-180 nm MOSFET APPLICATIONS
机译:
小于180 nm MOSFET应用的预栅极清洁过程中存在的化学氧化物时,高K和常规栅极堆叠的栅极介电厚度控制
作者:
Jay J. Guan
;
Glenn W. Gale
;
Dim-Lee Kwong
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
71.
Delta-doped p-channel SiGe FET
机译:
掺三角形的p沟道SiGe FET
作者:
San Lein Wu
;
Shoou Jinn Chang
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
72.
Characteristics of Liquid Phase Deposited Titanium Oxide Films on Silicon and Gallium Arsenide
机译:
硅和砷化镓上液相沉积钛氧化物薄膜的特性
作者:
M. K. Lee
;
C. M. Shih
;
W. H. Hung
;
S. Y. Lin
;
C. C. Cheng
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
73.
CONTACT PROCESSES FOR ADVANCED DRAM AND CMOS LOGIC DEVICES
机译:
先进DRAM和CMOS逻辑设备的联系过程
作者:
J. Gambino
;
K. Bandy
;
J. Chapple-Sokol
;
R. Conti
;
D. Dobuzinsky
;
R. Iggulden
;
M. Maldei
;
K. Peterson
;
T. Rupp
;
T. Stamper
;
J. Stephens
;
V. Sardesai
;
M. Wise
;
T. Wagner
;
S. Weber
;
R. Wistrom
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
|
2001年
74.
CELL ARRAY DESIGN OF STACKED-SURROUNDING GATE TRANSISTOR (S-SGT) DRAM FOR SMALL ARRAY NOISE AND ULTRA-HIGH DENSITY DRAM
机译:
用于小阵列噪声和超高密度DRAM的堆叠式门极晶体管(S-SGT)DRAM的单元阵列设计
作者:
Tetsuo Endoh
;
Hiroki Nakamura
;
Hiroshi Sakuraba
;
Fujio Masuoka
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
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2001年
75.
CAPACITOR TECHNOLOGY FOR GIGA SCALE DRAM
机译:
GIGA大规模DRAM的电容器技术
作者:
Jae-Sung Roh
;
Kwon Hong
;
Hyung-Bok Choi
;
Dong-Soo Yoon
;
Ho-Jin Cho
;
Hee-Koo Yoon
;
Young-June Park
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
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2001年
76.
AREA CONTROLLED OXIDATION OF SILICON BY HYPERTHERMAL COLLIMATED OZONE BEAM
机译:
超高温热解臭氧束对硅的区域控制氧化
作者:
Tetsuya Nishiguchi
;
Yoshiki Morikawa
;
Mitsuru Kekura
;
Masaharu Miyamoto
;
Hidehiko Nonaka
;
Shingo Ichimura
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
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2001年
77.
Analyses of Advantages and Problems of Self-Aligned Ti-Silicide in Submicrometer CMOS Technology
机译:
自对准钛硅化物在亚微米CMOS技术中的优点和问题的分析
作者:
Wang wanye
;
Xu zheng
;
Liu kui
会议名称:
《1st International Conference on Semiconductor Technology Vol.1, May 27-30, 2001, Shanghai, China》
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2001年
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