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State-of-the-art program on compound semiconductors 58
State-of-the-art program on compound semiconductors 58
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1.
CMOS Compatible In-situ N-type Doping of Ge Using New Generation Doping Agents P(MH_3)_3 and As(MH_3)_3 (M=Si, Ge)
机译:
使用新一代掺杂剂P(MH_3)_3和As(MH_3)_3(M = Si,Ge)对Ge进行CMOS兼容的Ge原位N型掺杂
作者:
Chi Xu
;
J. D. Gallagher
;
C. L. Senaratne
;
P. E. Sims
;
J. Kouvetakis
;
J. Menendez
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors 58》
|
2015年
2.
Towards Electrochemical Fabrication of Free-Standing Indium Phosphide Nanofilms
机译:
走向自由态磷化铟纳米膜的电化学制备
作者:
Nathan Quill
;
Colm ODwyer
;
D. Noel Buckley
;
Robert P. Lynch
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors 58》
|
2015年
3.
Recent Developments in Mercury Cadmium Telluride IR Detector Technology
机译:
碲化镉镉红外检测器技术的最新进展
作者:
J. Antoszewski
;
N.D. Akhavan
;
G. Umana-Membreno
;
R. Gu
;
W. Lei
;
L. Faraone
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors 58》
|
2015年
4.
Flexible Graphene Electrode-based Organic Photovoltaics with Record-High Efficiency
机译:
柔性石墨烯电极基高效光伏
作者:
H. Park
;
S. Chang
;
X. Zhou
;
J. Kong
;
T. Palacios
;
S. Gradecak
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors 58》
|
2015年
5.
From MRTA to SMRTA: Improvements in Activating Implanted Dopants in GaN
机译:
从MRTA到SMRTA:激活GaN中注入的掺杂剂的改进
作者:
J.D. Greenlee
;
B.N. Feigelson
;
T.J. Anderson
;
J.K. Hite
;
K.D. Hobart
;
F.J. Kub
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors 58》
|
2015年
6.
Effect of Buffer Oxide Etchant (BOE) on Ti/Al/Ni/Au Ohmic contacts for AlGaN/GaN based HEMT
机译:
缓冲氧化物蚀刻剂(BOE)对基于AlGaN / GaN的HEMT的Ti / Al / Ni / Au欧姆接触的影响
作者:
Ya-Hsi Hwang
;
Shihyun Ahn
;
Chen Dong
;
Weidi Zhu
;
Byung-Jae Kim
;
Fan Ren
;
Aaron G. Lind
;
Kevin S. Jones
;
Stephen J. Pearton
;
Ivan I. Kravchenko
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors 58》
|
2015年
7.
Simulating RF Performance of Proton Irradiated AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMT)s
机译:
模拟质子辐照的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的RF性能
作者:
Shrijit Mukherjee
;
Erin Patrick
;
Mark E. Law
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors 58》
|
2015年
8.
Cathodoluminescence Studies of Gamma-Irradiation Effects on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
机译:
阴极发光对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的γ辐照效应的研究
作者:
A. Yadav
;
M. Antia
;
E. Flitsiyan
;
L. Chernyak
;
I. Lubomirsky
;
J. Salzman
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors 58》
|
2015年
9.
Doping of Direct Gap Ge_(1-y)Sn_y Alloys to Attain Electroluminescence and Enhanced Photoluminescence
机译:
掺杂直接间隙Ge_(1-y)Sn_y合金以获得电致发光和增强的光致发光
作者:
C. L. Senaratne
;
J. D. Gallagher
;
C. Xu
;
P. E. Sims
;
J. Menendez
;
J. Kouvetakis
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors 58》
|
2015年
10.
Crystalline Tetrahedral Phases Al_(1-x)B_xPSi_3 and Al_(1-x)B_xAsT_3 (T = Si, Ge) Via Reactions of Al(BH_4)_3 and M(TH_3)_3 (M = P, As)
机译:
通过Al(BH_4)_3和M(TH_3)_3(M = P,As)的反应,结晶四面体相Al_(1-x)B_xPSi_3和Al_(1-x)B_xAsT_3(T = Si,Ge)
作者:
P. Sims
;
T. Aoki
;
J. Menendez
;
J. Kouvetakis
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors 58》
|
2015年
11.
Study of the effects of GaN buffer layer quality on the dc characteristics of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
机译:
GaN缓冲层质量对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的dc特性的影响的研究
作者:
Shihyun Ahn
;
Weidi Zhu
;
Chen Dong
;
Ya-Hsi Hwang
;
Byung-Jae Kim
;
Fan Ren
;
Stephen J. Pearton
;
Aaron G. Lind
;
Kevin S. Jones
;
Ivan I. Kravchenko
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors 58》
|
2015年
12.
Study on effect of proton irradiation energy in AlGaN/GaN metal-oxide semiconductor high electron mobility transistors
机译:
质子辐照能量在AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管中的作用研究
作者:
Shihyun Ahn
;
Chen Dong
;
Weidi Zhu
;
Byung-Jae Kim
;
Ya-His Hwang
;
Fan Ren
;
Stephen J. Pearton
;
Gwangseok Yang
;
Jihyun Kim
;
Ivan I. Kravchenko
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors 58》
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2015年
13.
Enhanced Performance Designs of Group-Ⅳ Light Emitting Diodes for Mid IR Photonic Applications
机译:
用于中红外光子应用的Ⅳ组发光二极管的增强性能设计
作者:
J. D. Gallagher
;
C. L. Senaratne
;
C. Xu
;
P. M. Wallace
;
J. Menendez
;
J. Kouvetakis
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors 58》
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2015年
14.
Propagation of Nanopores and Formation of Nanoporous Domains during Anodization of n-InP in KOH
机译:
在KOH中n-InP阳极氧化过程中纳米孔的传播和纳米孔结构的形成
作者:
D. Noel Buckley
;
Robert P. Lynch
;
Nathan Quill
;
Colm ODwyer
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors 58》
|
2015年
15.
Terahertz Spectroscopy: Studying Carrier Dynamics in Semiconductor Nanostructures
机译:
太赫兹光谱:研究半导体纳米结构中的载流子动力学
作者:
Lyubov V. Titova
;
Sijia Xu
;
Jean-Marc Baribeau
;
David J. Lockwood
;
Frank A. Hegmann
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors 58》
|
2015年
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