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首页> 外文会议>International conference on semiconductor technology >LOW TEMPERATURE GROWTH OF HIGH QUALITY SiO_2 AT LESS THAN 100°C BY ECR-PECVD FOR THIN FILM TRANSISTORS
【24h】

LOW TEMPERATURE GROWTH OF HIGH QUALITY SiO_2 AT LESS THAN 100°C BY ECR-PECVD FOR THIN FILM TRANSISTORS

机译：通过ECR-PECVD用于薄膜晶体管低于100°C的高质量SiO_2的低温生长

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Polysilicon is required for the next generation of active matrix liquid crystal display (AMLCD) technology, which integrates driver circuitry onto the same low cost substrate as the display itself. This requires thin, low temperature, high quality SiO_2 dielectrics. rf-plasma enhanced chemical vapor deposition (rf-PECVD) oxides incorporate considerable hydrogen, which cause instabilities. In Electron Cyclotron Resonance (ECR)-PECVD, a highly ionised plasma (～10~(16) m~(-3)) with low ion energies (～10eV) gives more efficient dehydrogenation, while not creating extra defects. O_2 and He are injected upstream of the resonance zone to react chemically with the SiH_4 which is injected further downstream. High quality material has been deposited at 80°C with a refractive index of 1.46, an etch rate in buffered HF below 2.5 nm/s and a hydrogen content of less than 2 at.%. Electrical tests reveal a resistivity of >10~(14) Ωcm, an average breakdown strength of 5 MVcm~(-1), and fixed charge and interface state densities of 10~(11) cm~(-2) and 10~(12) eV~(-1)cm~(-2) respectively. This has been achieved using a O_2:SiH_4 ratio > 2:1.
机译：下一代有源矩阵液晶显示器（AMLCD）技术需要多晶硅，其将驱动电路集成到与显示器本身相同的低成本基板上。这需要薄，低温，高质量的SiO_2电介质。 RF-等离子体增强的化学气相沉积（RF-PECVD）氧化物包含相当大的氢，这导致稳定性。在电子回旋共振（ECR）-PECVD中，具有低离子能量（〜10eV）的高电离等离子体（〜10〜（16）m〜（-3））可提供更有效的脱氢，同时不会产生额外的缺陷。 O_2和他在共振区的上游注射以与SIH_4化学反应，SIH_4进一步注入下游。高质量的材料已经在80℃下沉积在80℃，折射率为1.46，蚀刻速率在2.5nm / s以下缓冲的HF和少于2的氢含量。电气测试显示> 10〜（14)Ωcm的电阻率，平均击穿强度为5 mvcm〜（-1），以及固定电荷和界面状态密度为10〜（11）cm〜（-2）和10〜（ 12）EV〜（-1）cm〜（-2）分别。这已经使用O_2：SIH_4比例> 2：1实现。

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