Institute of Microelectronics, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, Chinac;
MIM Capacitor; MMIC; PECVD; RF-Power amplifiers;
机译:适用于MMMIC和RF-MEMs应用的低温高密度Si_3N_4 MIM电容器技术
机译:使用超薄远程PECVD Si / sub 3 / N / sub 4 /介电层的MMIC的高级MIM电容器的DC和RF特性
机译:用于射频应用的简单宽带金属绝缘体金属(MIM)电容器模型和基板接地屏蔽的影响
机译:MIM Serie电容器模型MMIC设计应用
机译:具有明显电气长度的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的模型级简化方法。
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:MIM电容器在GaAs上MMIC应用的简单可扩展模型确定