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【24h】

Alternative insights in the microstructure of a-Si:H and nc-Si:H: a route to achieve solar cells with high stable efficiencies

机译:关于a-Si:H和nc-Si:H的微观结构的另类见解:实现高稳定效率的太阳能电池的途径

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摘要

In the last years we have proposed an alternative model to represent the microstructure of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) network.In textbooks a-Si:H is represented as a continuous random network of Si-Si and Si-H bonds and the dominant defect is a coordination defect,the so-called dangling bond.
机译:近年来,我们提出了一种替代模型来表示氢化非晶硅(a-Si:H)网络的微观结构。在教科书中,a-Si:H表示为Si-Si和Si-H键的连续随机网络而主要缺陷是配位缺陷,即悬空键。

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