Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology 1603-1 Kamitomioka, Nagaoka, Niigata, 940-2188 JAPAN;
watermark; particle; micro wetting; evaporation; surface energy; pinning effect; immersion lithography; static watermark; dynamic watermark;
机译:浸没式光刻水印的形成因素
机译:工艺相关和雾度缺陷对193 nm浸没式光刻的影响
机译:工艺相关和雾度缺陷对193 nm浸没式光刻的影响
机译:用于浸入光刻的水印形成期间固体缺陷凝结
机译:金属卤化物纳米晶体的生长和固态转变过程中的缺陷化学和离子嵌入
机译:将原位光刻与3D打印固体浸没透镜相结合以实现单量子点光谱
机译:用特殊路由进行缺陷浸入光刻
机译:具有各种形状的裂缝和孔隙的固体:缺陷密度,各向异性的适当参数和波速模式损伤信息的提取。总结报告