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首页> 外文会议>Annual International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology(CS MANTECH); 20050411-14; New Orleans,LA(US) >Oxygen Plasma Damage Study on InGaP/GaAs HBTs
【24h】

Oxygen Plasma Damage Study on InGaP/GaAs HBTs

机译：InGaP / GaAs HBT的氧等离子体损伤研究

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This paper presents the results of investigations into the effect of oxygen plasma damage to InGaP/GaAs HBTs. The study examined the PCM data and the results of reliability tests performed on devices that had been exposed to various plasma intensities at two different processing steps. Our results show that direct exposure of the HBT to plasma after formation of the base pedestal can result in poor reliability. The degradation in reliability had an unusual correlation to plasma intensity. In addition, a thin SiN layer can effectively protect the HBT from plasma damage.
机译：本文介绍了氧等离子体损伤对InGaP / GaAs HBT的影响的研究结果。这项研究检查了PCM数据以及在两个不同处理步骤中暴露于各种等离子体强度的设备上进行的可靠性测试的结果。我们的结果表明，在形成基本基座之后，HBT直接暴露于血浆会导致可靠性下降。可靠性的下降与血浆强度有异常的相关性。另外，薄的SiN层可以有效地保护HBT免受等离子体破坏。

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