Photodiode; Schottky contact; barrier height; ideality factor; I-V characteristics; semiconductor;
机译:n-Ga / sub 0.47 / In / sub 0.53 / As上具有p / sup +/- Ga / sub 0.47 / In / sub 0.53 / As盖层的低暗电流准肖特基势垒MSM光电二极管结构
机译:宽温度范围内N-inp(100)上Pd / pt肖特基接触的肖特基势垒参数评估
机译:肖特基接触的金属-半导体-金属结构的对称电流-电压特性和CdTe结构的参数检索
机译:MSM-Photodiode结构中肖特基接触参数的评估
机译:理解金属/半导体肖特基接触的电性能:块体和纳米级结构中势垒不均匀性和几何形状的影响。
机译:van der WALS金属半导体 - 金属结构的不对称肖特基触点基于二维Janus材料
机译:金属半导体触点:界面结构在肖特基势垒上的作用