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首页> 外文会议>Conference on Emerging Lithographic Technologies Ⅴ Feb 27-Mar 1, 2001, Santa Clara, USA >New results in high energy proximity x-ray lithography
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New results in high energy proximity x-ray lithography

机译：高能近距离X射线光刻技术的新成果

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We report some new results in the use of high energy radiation in proximity x-ray lithography for the 50 nm node. The higher energy of the incoming radiation, 2.6 - 2.7 KeV, has two primary benefits: (1) it reduces the diffraction and allows printing of higher resolution features, and (2) it increases the effective depth of exposure allowing larger gap setting; however, the absorption of these photons creates "hot" electrons, which redistributes the energy in the resist, thus creating a uniform 'blur' that limits the resolution by reducing contrast. The impact of the energy redistribution needs to be investigated when increasing the energy of the radiation, and in considering the materials used in both the optics and the mask and resist combination.
机译：我们报告了在50 nm节点的近距离X射线光刻中使用高能辐射的一些新结果。入射辐射的能量较高，为2.6-2.7 KeV，具有两个主要优点：（1）减少衍射并允许打印更高分辨率的特征；（2）增加有效的曝光深度，允许更大的间隙设置；然而，这些光子的吸收会产生“热”电子，从而在抗蚀剂中重新分配能量，从而产生均匀的“模糊”，通过降低对比度来限制分辨率。当增加辐射的能量时，还需要研究能量重新分布的影响，并考虑光学器件以及掩模和抗蚀剂组合中使用的材料。

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