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首页> 外文会议>Conference on Quantum Sensing and Nanophotonic Devices; 20040125-20040129; San Jose,CA; US >Modeling Type Ⅱ InAs/GaSb superlattices using empirical tight-binding method: new aspects
【24h】

Modeling Type Ⅱ InAs/GaSb superlattices using empirical tight-binding method: new aspects

机译：使用经验紧密结合方法对Ⅱ型InAs / GaSb超晶格建模：新方面

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The recent advances in the experimental work on the Type n InAs/GaSb superlattices necessitate a modeling that can handle arbitrary layer thickness as well as different types of interfaces in order to guide the superlattice design. The empirical tight-binding method (ETBM) is a very good candidate since it builds up the Hamiltonian atom by atom. There has been a lot of research work on the modeling of Type n InAs/GaSb superlattices using the ETBM. However, different groups generate very different accuracy comparing with experimental results. We have recently identified two major aspects in the modeling: the antimony segregation and the interface effects. These two aspects turned out to be of crucial importance governing the superlattice properties, especially the bandgap. We build the superlattice Hamiltonian using antimony segregated atomic profile taking into account the interface. Our calculations agree with our experimental results within growth uncertainties. In addition we introduced the concept of Ga_xIn_(1-x) type interface engineering, which will add another design freedom especially in the mid-wavelength infrared range (3～7 μm) in order to reduce the lattice mismatch.
机译：n型InAs / GaSb超晶格实验工作的最新进展需要建立能够处理任意层厚度以及不同类型界面的模型，以指导超晶格设计。经验紧密结合方法（ETBM）是一个很好的选择，因为它可以逐个原子地建立哈密顿原子。关于使用ETBM对n型InAs / GaSb超晶格建模的研究工作很多。但是，与实验结果相比，不同的组产生的准确性差异很大。我们最近在建模中确定了两个主要方面：锑的偏析和界面效应。事实证明，这两个方面对于控制超晶格特性（尤其是带隙）至关重要。考虑到界面，我们使用锑分离的原子分布图建立了超晶格哈密顿量。在增长不确定性范围内，我们的计算与我们的实验结果吻合。另外，我们引入了Ga_xIn_（1-x）型接口工程的概念，这将增加另一种设计自由度，特别是在中波长红外范围（3〜7μm）中，以减少晶格失配。

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