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首页> 外文会议>Electrochemical Society Meeting and International Symposium on ULSI Process Integration III; 20030428-20030502; Paris; FR >Fully Depleted SOI Process and Device Technology for Digital and RF Applications
【24h】

Fully Depleted SOI Process and Device Technology for Digital and RF Applications

机译：用于数字和射频应用的完全耗尽的SOI工艺和器件技术

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This work demonstrates suitable applicability of FD-SOI devices for low power digital and RF usages for wireless communication. FD-SOI CMOS offers an approximately 60 % power reduction over bulk CMOS while maintaining operation speed. The excellent temperature dependence also indicates that FD-SOI CMOS is highly suitable for high-temperature low power application. Passive devices for RF applications exhibit excellent Q values. In particular, crosstalk immunity at gigahertz range is superior to the bulk. These are very attractive for mixed signal circuits in the GHz era.
机译：这项工作演示了FD-SOI设备在无线通信的低功耗数字和RF用途中的适用性。相对于整体CMOS，FD-SOI CMOS的功耗降低了约60％，同时保持了运行速度。出色的温度依赖性还表明FD-SOI CMOS非常适合高温低功耗应用。用于射频应用的无源器件具有出色的Q值。特别是，千兆赫范围内的串扰抗扰性优于整体。这些对于GHz时代的混合信号电路非常有吸引力。

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