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New Silicon Carbide Schottky-gate Bipolar Mode Field Effect Transistor (SiC SBMFET) without PN Junction

机译：新的碳化硅肖特基栅双极模式场效应晶体管（SiC SBMFET）没有PN结

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The Bipolar Mode Field Effect Transistors (BMFETs) using P{sup}+ gates on N-type Silicon substrate are the most commonly used power devices for high-current medium-power switching applications and as optically controlled switches [1,2]. These are dual gate devices with deep P{sup}+ gate junctions, which require large thermal cycles for diffusion. In this paper, we propose a novel Schottky-gate BMFET (SBMFET) using P-type 4H Silicon-Carbide [3,4], a wide bandgap material, in which the PN junction gates are replaced by the Schottky gates. We have studied the characteristics of this device using two-dimensional numerical simulation [5]. Our results demonstrate for the first time that the P-SiC Schottky-gate BMFET has very low ON voltage drop, good output characteristics, a reasonable current gain and a blocking voltage greater than 1000 V.
机译：使用p {sup} +栅极在n型硅衬底上的双极模式场效应晶体管（BMFET）是用于高电流中型电源开关应用的最常用的功率器件，并且是光控开关[1,2]。这些是具有深的P {SUP} +栅极连接的双栅极设备，其需要大的热循环进行扩散。在本文中，我们提出了一种使用P型4H碳化物[3,4]，宽带隙材料的新型肖特基栅BMFET（SBMFET），其中PN结栅置于肖特基栅极。我们使用二维数值模拟研究了该装置的特性[5]。我们的结果首次证明了P-SiC肖特基栅BMFET对电压降的非常低，输出特性良好，合理的电流增益和堵塞电压大于1000V。

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