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【24h】

Dose latitude dependency on resist contrast in e-beam mask lithography

机译：对抗蚀剂对抗膜光刻中的抗蚀剂的剂量纬度依赖性

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In mask-making process with e-beam lithography, the process capability is usually affected by exposure profile, resist contrast and development process. Dose latitude depends significantly on these three parameters. in this wrk, dose latitude(triangle openCD, nm/triangle opendose, percent) between different resist contrasts has been experimentally studied as a function of linewidth, dose, beam size and overdevelopment magnitude using commercial PBS and ZEP 7000 resist on a photomask with 10 keV exposure. It has been found that ZEP 7000 resist with high contrast shows lower dose latitude, more sensitivity to the variation of linewidth, dose and beam size except for overdevelopment magnitude due to its relatively longer development time.
机译：在具有电子束光刻的掩模过程中，工艺能力通常受暴露曲线，抗造影和开发过程的影响。剂量纬度大大取决于这三个参数。在该WRK中，在不同抗蚀剂对比度之间的剂量纬度（三角形Opencd，NM /三角形Opendose，百分比）通过在具有10的光掩模上使用商业PBS和诗歌7000抗蚀剂的线宽，剂量，光束尺寸和过度发育幅度的函数进行了实验研究kev曝光。已经发现，具有高对比度的七000抗蚀剂显示出低剂量纬度，对线宽，剂量和光束尺寸的变化更敏感，除了其相对较长的发育时间，除了过度开发的幅度之外。

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