• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文会议>Optical Microlithography XVI >Optical Rule Checking for Proximity Corrected Mask Shapes
【24h】

Optical Rule Checking for Proximity Corrected Mask Shapes

机译：光学规则检查，以校正接近的掩模形状

获取原文
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Optical Rule Checking (ORC) is an important vehicle to predict the failure of wafer shapes due to the process proximity effects. Optical Proximity Correction (OPC) if not aided by ORC may cause severe failures affecting the yield in manufacturing. However, it is fairly complicated to do ORC on mask shapes that are pre-corrected either by rules-based or by model-based OPC. ORC is also a good tool to capture the problems that may occur at multi-layer interactions. We present a methodology to use both geometric directives and limited optical simulation to detect potential failures using ORC. We extend our methodology to multi-layer interactions. In case of multi-layer ORC, we present several approaches that deal with how to judiciously mix the geometric directives and the optical simulations for different layers. We show the ORC can help us design better rules for OPC.
机译：光学规则检查（ORC）是预测由于过程接近效应导致晶片形状的故障的重要车辆。光学邻近校正（OPC）如果orc辅助，可能导致影响制造中的产量的严重失败。然而，在通过基于规则的规则或基于模型的OPC预先纠正的掩模形状上是相当复杂的。 ORC也是捕获多层交互可能发生的问题的良好工具。我们提出了一种方法来使用几何指令和有限的光学模拟来检测使用ORC的潜在故障。我们将我们的方法扩展到多层交互。在多层兽人的情况下，我们提出了几种方法，该方法处理如何明智地将几何指令和不同层混合的光学模拟。我们展示ORC可以帮助我们为OPC设计更好的规则。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号