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Infrared radiation induced spin photocurrents in GaN low-dimensional structures

机译:红外辐射诱导GaN低维结构中的自旋光电流

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摘要

Infrared radiation spin photocurrents have been observed in GaN quantum well structures. Observed currents change sign upon reversing of radiation helicity demonstrating an existence of Rashba/Dresselhaus spin splitting of the conduction band in this new type of materials. Approvement of spin degeneracy removal in GaN structures allows to consider this material as a candidate for semiconductor spintronic.
机译:在GaN量子阱结构中已经观察到红外辐射自旋光电流。观察到的电流在辐射螺旋度反转时改变符号,表明在这种新型材料中存在导带的Rashba / Dresselhaus自旋分裂。批准去除GaN结构中的自旋简并性可以考虑将该材料视为半导体自旋电子学的候选材料。

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