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Study of surface control during barrier layer etch

机译：势垒层腐蚀过程中表面控制的研究

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The etching characteristics of Ta/TaN bilayer barrier films are investigated using a commercial capacitively coupled plasma (CCP) etch system. The challenge of the barrier layer etch is that the by-product is very difficult to remove even with lengthy CF4/O2 strip and ST250 (alkali solvent) wet strip. Two typical chemistry bases for barrier layer etch are studied in this paper. With the first chemistry base (C4F8 and C4F6), the dielectric layer sidewall has no etch by-product residue, but the copper surface underneath the barrier layer has barrier residue and worse pinhole. With the other chemistry base (CF4 with high flow and low pressure), the following can be achieved with CO addition: no etch by-product adhesion to the sidewall, no pinhole and barrier layer residue on copper surface underneath the barrier layer.
机译：使用商业电容耦合等离子体（CCP）蚀刻系统研究了Ta / TaN双层势垒膜的蚀刻特性。阻挡层蚀刻的挑战在于，即使使用冗长的CF4 / O2剥离带和ST250（碱性溶剂）湿剥离带，也很难去除副产物。本文研究了两种典型的化学刻蚀阻挡层的化学基础。对于第一化学基础（C4F8和C4F6），介电层侧壁没有蚀刻副产物残留物，但是在阻挡层下面的铜表面有阻挡层残留物和更严重的针孔。使用其他化学基础（具有高流量和低压的CF4），通过添加CO可以实现以下目的：在侧壁上没有蚀刻副产品附着，在阻挡层下方的铜表面上没有针孔和阻挡层残留物。

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