名古屋大学;
机译:利用高温下F2 + NO→F + FNO的反应,通过Si化学干法刻蚀,形成纳米孔特征,平坦表面或晶体学取向的刻蚀轮廓
机译:衬底温度对CH3OH电感耦合等离子体系统中磁性隧道结材料的蚀刻性能和蚀刻表面的影响
机译:甲基倍半硅氧烷SiOC(H)低k材料和SiC(H)蚀刻停止层的高密度碳氟化合物等离子体蚀刻:表面分析和蚀刻机理研究
机译:通过N_2和H_2的蚀刻蚀刻有机IOW-K膜的表面反应
机译:使用电感和电容耦合的碳氟化合物放电对电介质材料进行等离子蚀刻:表面化学机理的研究。
机译:NCCL中不同通用粘合剂在蚀刻和冲洗,选择性蚀刻和自蚀刻应用模式下的二十四个月临床表现–一项随机对照临床试验
机译:控制粗糙度:从蚀刻到有机和无机材料上的纳米电容和等离子体导向组织