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【24h】

Slow Wave and Dielectric Quasi-TEM Modes of Metal-Insulator-Semkonductor (MIS) Structure Through Silicon Via (TSV) in Signal Propagation and Power Delivery in 3D Chip Package

机译：通过硅通孔（TSV）在3D芯片封装中的信号传播中的硅通孔（TSV）慢波和介电准系子模式通过硅通孔（TSV）。

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The effects of slow wave and dielectric quasi-TEM modes due to MIS (Metal-Insulator-Semiconductor) structure TSV (Through-Silicon-Via) are analyzed by using the proposed MIS TSV model and the measured results. Since MIS TSV has larger surface, longer length, and smaller insulator thickness than those of conventional on-chip metal lines, the stronger effects of slow wave and dielectric quasi-TEM modes of MIS structure on electrical performance appear. After obtaining the MIS structure TSV model with the dimension variables based on the measurement and 3D full wave simulation, two slow wave and dielectric quasi-TEM modes effects on MIS TSV electrical characteristics are analyzed in the aspects of signal propagation and power delivery.
机译：通过使用所提出的MIS TSV模型和测量结果，分析由于MIS（金属 - 绝缘体 - 半导体）结构TSV（通过硅-VER）和测量结果分析了慢波和介电准TEM模式的影响。 由于MIS TSV具有较大的表面，更长的长度和较小的绝缘体厚度，而不是传统的片上金属线，因此慢波和介电准系数的MIS结构的较强效应出现在电气性能下。 基于测量和3D全波模拟获得尺寸变量的MIS结构TSV模型后，在信号传播和电力输送的各方面分析了对MIS TSV电特性的两个慢波和电介质准TEM模式。

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