Solid C_960) growth on hexagonal GaN (0001) surface

机译：固体C_960）六边形GaN（0001）表面上的生长

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Growth of solid C_(60) thin film on a hexagonal GaN (0001) surface has been investigated. Epitaxial growth of the fcc C_(60) thin solid film has been achieved on a flat surface, while the polycrystalline C_(60) film has only been obtained on a rough surface. The results indicate that the epitaxial growth of single crystalline C_(60) layer on the h-GaN (0001) surface is very sensitive to the surface morphology, because of very weak van der Waals interaction between the C_(60) molecules and the chemically inactive h-GaN (0001) surface.

机译：已经研究了六边形GaN（0001）表面上的固体C_（60）薄膜的生长。在平坦表面上已经达到了FCC C_（60）薄的固体膜的外延生长，而在粗糙的表面上仅获得多晶C_（60）膜。结果表明，在H-GaN（0001）表面上的单晶C_（60）层的外延生长对表面形态非常敏感，因为C_（60）分子和化学之间的van der WaaS相互作用非常弱无效H-GaN（0001）表面。

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来源
《International conference on molecular beam epitaxy》|2001年||共5页
会议地点
作者
A. Hashimoto; A. Yamamoto; M. Nakaya; H. Takashima;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类材料;
关键词
growth models; solar cells; semiconducting materials; nanomaterials; molecular beam epitaxy; growth from vapor;

机译：成长模型;太阳能电池;半导体材料;纳米材料;分子束外延;蒸气生长;

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