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首页> 外文会议>International Conference on Defects in Semiconductors >P-type doping with group-Ⅰ elements and hydrogenation effect in ZnO
【24h】

P-type doping with group-Ⅰ elements and hydrogenation effect in ZnO

机译：P型掺杂ZnOⅠ组元素和氢化效应

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We investigate the defect properties of group-Ⅰ elements such as Li and Na in ZnO through first-principles calculations. Compared with group-V elements such as N, P, and As, Li and Na dopants at substitutional sites have shallower acceptor levels, but, these acceptors are mostly compensated by coexisting interstitial donors. Our calculations show that a codoping technique with hydrogen severely suppresses the concentration of interstitial donors, and greatly enhances the solubility of group-Ⅰ dopants via the formation of hydrogen-acceptor complexes. The hydrogen-passivated acceptors easily recover the electrical activity by post-annealing, and thus low-resistivity p-type ZnO is achievable with dopants different from group-Ⅴ elements.
机译：通过第一原理计算，我们研究了ZnO中Ⅰ组元素（如Li和Na）缺陷的缺陷性质。与诸如N，P和AS，Li和Na掺杂剂的组元素相比，在替代位点的Li和Na掺杂剂具有较浅的受体水平，但是，这些受体主要通过共存间隙供体来补偿。我们的计算表明，具有氢的重新分配技术严重抑制间质供体的浓度，并大大提高了Ⅰ型掺杂剂通过形成氢受体配合物的溶解度。氢钝化的受体通过后退火容易地回收电活动，因此可以通过与组元素不同的掺杂剂实现低电阻率p型ZnO。

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